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Spansion 與爾必達宣佈共同拓展快閃記憶體事業聯盟範圍
& ?- q3 k& k5 w, p% Q0 U合作內容包含聯合研發NAND Flash與晶圓代工協議 雙方也尋求在NOR Flash上的合作機會
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【台北訊,2010年7月22日】-爾必達(Elpida Memory; TOKYO: 6665)與快閃記憶體方案領導廠商 Spansion (NYSE: CODE)今日宣布拓展雙方合作關係範圍,共同研發 NAND 製程技術與產品,包含納入一項 NAND Flash的晶圓代工服務協議。爾必達也取得 Spansion® NAND IP 技術的非獨家授權,該項技術乃是以其 MirrorBit® 的電荷捕獲技術 (charging-trapping technology) 作為基礎。爾必達將運用其位於日本廣島晶圓廠的 12吋(300公釐)尖端製程技術,生產高階的 NAND 新產品,雙方各自進行客戶行銷。 0 O+ j3 M- t% M' o$ N
) M1 W7 h3 \" d$ u. m" ANAND 產品的聯合研發與技術移轉活動,也在日本廣島晶圓廠進行。為了拓展結盟範圍,雙方也有意探究其他可能的合作領域,例如 NOR Flash產品與製造。 # j- E" [3 a) ?- O& l- d, O
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爾必達總裁暨執行長阪本幸雄(Yukio Sakamoto)表示:「與Spansion 結盟,使得爾必達與取得 Spansion NAND IP 技術的授權,能研發先進的 NAND 產品,再配合本公司頂尖的 DRAM 產品,使得我們能為手機與數位消費產品等市場提供更完善的服務。Spansion 運用其 MirrorBit 電荷捕獲技術,開發出極具彈性與可擴充性的快閃記憶體技術。我們非常興奮能共同研發NAND,並在NOR Flash領域有進一步合作的可能性。」
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0 r5 ~8 r& J/ ] U8 w: A% f雙方的合作有助於爾必達取得一項兼具競爭力與可擴充性的 NAND 技術,Spansion 也因研發支出降低,而獲得具備成本效益的製造方案。 7 x. k( ?, K& ^' Q: N
# g; M. T0 R: M7 x I+ l' C3 XSpansion 總裁暨執行長 John Kispert 指出:「與爾必達合作,有助於Spansion推展其策略。透過 NAND 的聯合研發與晶圓代工協議,Spansion 便能有效擴增其產品項目,並為客戶增添價值。」 |
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