RAMBUS AND CADENCE COLLABORATE PCI EXPRESS SOLUTIONS

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展示低成本wire bond封裝 運作速度可達到 1866 MT/s

(台北訊，2010 年 8 月 3 日)   全球先進技術授權公司 Rambus 宣佈針對消費性電子產品推出高效能、低成本 DDR3 記憶體控制器介面解決方案。Rambus 的 DDR3 解決方案採用低成本的wire bond封裝，是業界首款達到 1866 MT/s (每秒百萬次傳輸) 資料傳輸速度的運作晶片。Rambus 甫於美國加州舉行的 Denali MemCon 2010 會議中展示此一技術。

. k% {6 X6 N  m% XRambus 提供 PHY 開發套件 (PDP) 給 DDR3 記憶體控制器介面的授權客戶，以協助記憶體介面設計人員針對特定應用自訂 DDR3 配置。Rambus 的 DDR3 介面解決方案 PDP 包含所有必要的建構基礎、PHY 架構、線路圖、模型、一般佈局、平面圖、驗證 IP、實作文件、測試文件、設計腳本及模擬檔案，以確保設計順利進行。
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Rambus 授權暨行銷資深副總裁 Sharon Holt 表示，被授權客戶可將 Rambus 絕佳的創新專利與領先的設計專業知識運用於經過矽驗證的 DDR3 介面解決方案，以滿足設計上的需求。採用wire bond封裝的高效能 DDR3 解決方案相當適合各種消費性電子產品，包括新一代 HDTV、數位機上盒，以及藍光播放器 (Blu-ray player) 與錄影機。

# L5 _1 j. Y  R2 ]DDR3 介面採用 Rambus 創新技術，其中包括：
•        FlexPhase™ 電路，可達到絕佳記憶體系統時序
•        輸出驅動器校正，可支援高速資料傳輸速率，並改善系統電壓容限 (system voltage margin)
•        終端電阻 (on-die termination, ODT) 校正，可提升訊號環境
•        LabStation™ 軟體，可迅速調出 (bring up)、描述特性 (characterization) 及驗證設計

Rambus 並提供被授權客戶工程服務，包括封裝設計、系統電路板佈局、訊號與電源完整性的統計分析、參考準則，以及調出協助。這些服務有助縮短上市時程、支援穩定的作業及量產。Rambus 擁有 20 多年的高速設計經驗，是高效記憶體系統總體設計解決方案的領導供應商。

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先進的差動記憶體訊號處理可達 20 Gbps 單端記憶體訊號處理可達 12.8 Gbps
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: L' a. E0 i" _& m( ?; S4 o2 T(台北訊，2011 年 2 月 10 日)   全球領先的技術授權公司 Rambus 宣佈已實現 SoC 至記憶體介面的突破性 20 Gbps 先進差動訊號處理，並開發出創新技術，將單端記憶體訊號處理推展到12.8Gbps，實屬空前。Rambus 同時開發出能夠將記憶體架構從單端無縫轉換為差動訊號處理的創新技術，資料速率可獲提升，以滿足下世代繪圖及遊戲系統的效能需求。
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Rambus 兆位元組頻寬先導計畫 (Terabyte Bandwidth Initiative) 的最新進展預計將有助於包括 GDDR5 及 DDR3 等單端記憶體架構達到絕佳的功耗效率及相容性。除了 FlexMode™ 介面技術之外，支援差動及單端訊號處理的多模 SoC 記憶體介面 PHY 也可在單一 SoC 封裝設計中實作，完全沒有接腳相容的問題。Rambus 已在 40nm 製程矽產品測試工具中以 20Gbps 運作達到 6 mW/Gbps 的功耗效率。這些創新進展可因應功耗效率及相容性的需求，解決提升訊號處理速率的重大系統難題。
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# j( F% t: a4 X3 P0 D4 FRambus 資深副總裁暨半導體業務部總經理 Sharon Holt 表示，Rambus提供能夠使單端訊號處理超越目前極限的解決方案，並且開發出無縫轉換差動訊號的方法，為產業的多向發展導引開道。由於 Rambus 以極高的功耗效率提升資料速率，並與目前產業標準記憶體相容，因此克服了技術和商業障礙，協助客戶得以讓產品發揮前所未有的能力。

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繪圖卡及遊戲主機 (game console) 對於效能的需求是消費性產品中經常關注的焦點。體感遊戲 (photorealistic game play)、3D 影像及更豐富的使用者感受的需求使得系統和記憶體需求不斷提高。現今的高階圖形處理器最多可支援 128 GB/s 的記憶體頻寬，而下一代產品預期更將使記憶體頻寬推展到 1 TB/s 的程度。  
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Rambus 運用本身卓越的訊號處理及記憶體架構專業知識，透過 Terabyte Bandwidth Initiative 進一步發展出許多關鍵創新技術，包括全差動記憶體架構 (FDMA)、FlexLink™ C/A 及 32倍速 (32X) 資料速率。另外最新發展的 FlexMode 介面技術可支援單一 SoC 封裝設計的差動及單端記憶體介面。FlexMode 技術應用於此類介面時不需要額外的接腳，透過程式設計即可將訊號處理 I/O 指派至資料或指令/位址。
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0 a2 G9 h) z- g& S9 b2007 年 11 月正式確立的 Terabyte Bandwidth Initiative 反映了 Rambus 持續致力於尖端效能記憶體架構的創新。此一規格是未來記憶體架構的基礎，將有助於遊戲、圖形及多核心運算等應用達到效能提升、資料頻寬提高且擴充、區域優化、訊號完整性提升及多模功能等效用。  
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如需 Terabyte Bandwidth Initiative 的詳細資訊，請參見網頁： www.rambus.com/terabyte。

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Rambus 與 GLOBALFOUNDRIES 共同展示 28奈米矽測試晶片之優異效能及功耗

【2012年7月26日，台北訊】Rambus (NASDAQ 代碼：RMBS) 與 GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣佈雙方合作開發之兩款獨立記憶體架構式矽測試晶片的成果。第一款測試晶片是專為智慧型手機和平板電腦等行動記憶體應用所設計的解決方案，第二款測試晶片則是專為伺服器等運算主要記憶體應用所設計的解決方案。這兩款測試晶片均採用 GLOBALFOUNDRIES 的28 奈米超低功率 (28nm-SLP) 製程，為目前先進的系統單晶片 (SoC) 發展提供最省電及具最高效能的類比／混合訊號的產品，功耗及效能方面更是超出預期。

Rambus 半導體事業部資深副總裁暨總經理 Sharon Holt 表示：「與 GLOBALFOUNDRIES 合作，對我們承諾持續創新並推出頂尖的電子產品效能至關重要。GLOBALFOUNDRIES 的 28nm-SLP 製程最適合用於以無可匹敵的功率效率實現 Multi-GHz 資料傳輸率。」
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5 s- z: m5 U6 v4 r6 y8 aGLOBALFOUNDRIES 設計支援服務部資深副總裁錢穆吉先生表示：「我們的 28nm-SLP 技術為 SoC 設計師提供穩定的製程選項，適用於新一代的多功能消費性產品及行動裝置，並確保功耗最佳化，是在市場中取得成功的重要關鍵。我們很榮幸能與 Rambus 合作，展示我們擁有的能力與設計實現生態系統，以提供業界最具成本效益且多樣化的 28SLP 製程。」

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Rambus 的行動和伺服器記憶體架構能滿足未來系統在 3D 遊戲、高畫質視訊串流、擷取和編碼等各種應用帶動下持續成長的效能需求，同時提供無與倫比的功率效率。隨著串流影片、智慧型手機、平板電腦和其他智慧型行動裝置日益普及，為搭載最新功能組合的裝置提供必要頻寬的新一代動態隨機存取記憶體 (DRAM) 技術之需求也將與日俱增。

GLOBALFOUNDRIES 的 28nm-SLP 技術是專為新一代的智慧型行動裝置所設計，以實現處理速度更快、體積更小、待機功耗更低、電池壽命更長的設計。這項技術是以塊狀矽 (bulk CMOS) 基板為基礎，並採用與高介電常數金屬閘極 (HKMG)相同的「閘極優先」(Gate First)方法，並已開始在 GLOBALFOUNDRIES 位於德國德勒斯登的晶圓1廠內量產。
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' j" u5 h$ b2 l, i- E+ k在過去兩年裡，Rambus 與GLOBALFOUNDRIES 已合作設計出多款 28nm-SLP 測試晶片，包括核心 Rambus 記憶體架構的行動和伺服器應用。這些測試晶片運用 GLOBALFOUNDRIES 所提供的各種設計支援及解決方案，包括製程設計套件 (PDK)、延伸實施服務，及其 DRC+™ 可製造性設計技術。此前，在高速實體層(PHY)設計上，GLOBALFOUNDRIES 組裝支援團隊還為Rambus提供了銲線和覆晶等封裝方案。
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' x3 K" s" |, \更多關於 Rambus 採用 GLOBALFOUNDRIES 28nm-SLP 製程設計實作的詳細資訊，請參閱 GLOBALFOUNDRIES 的 28奈米合作白皮書：http://globalfoundries.com/eBook ... bus_WhitePaper.aspx