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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154
3 W2 S( D% b* A- [( C2 oA gain of 1000 is expected.
9 _3 w! S% J2 M5 m7 V: L=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524:
) q' `9 O5 l( \2 v. b' FSlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
5 u% L1 O7 j3 y8 ?, P. A4 b4 f& T' I2 q! ~! V4 F' ~; Y
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
# Q; F+ i9 R  p5 RSlide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
9 z% {0 j8 G+ c" F6 y; p  T5 p
( j" ]2 W, K. ?4 G補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):+ r* d: ]- X# Y* Q. ^; f
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:4 V5 l( U/ y) F2 f) A1 o6 a
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小  o1 e7 N* B% J# x6 I4 r4 C9 B
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大6 K  r, I) p9 n. K; }" C- x+ |3 u9 P
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
8 ]5 X, u% i5 q/ h& }0 ^1 lOutput series: Current sampling輸出電阻變大( I% e. V( L- Z
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731
$ F$ b) J/ u* b需要4各bias 點~7 T+ v& Y( i# u3 E6 ]

' B; B6 ~* F; [3 Zside 0732
$ p. }# p  G1 F只需要3各bias 點~
+ t. {/ z( M6 Q  H% ~* X* `M2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097
+ ]# {; A9 [, k! iIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
! ?; C$ M- D  \' i/ qdepending on the phase margin required.
6 c0 }  R% s/ t/ J: q0 g- K=> 更正$ u' \: X0 i, d$ ?: ^* h
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW  I- N; ^: Z6 E3 V" e0 B
depending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM; z0 P* x' f* j) a7 I' f
回復 32# tuza2000

3 l! P7 Q+ ^! d5 v; u8 c- t上面說明有誤~
0 L& T7 {+ e% Z! g( f實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
! {# C4 v9 o8 p( k; g
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
* c$ _# [$ c! V5 E3 A9 k1 Q/ n% wCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
4 j  o3 F- m2 X' n1 C$ h所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
3 q( z& ]) }1 k7 Q: ]! JRef: silde2219 / j8 x$ ^1 r7 t9 t
Start-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
( e% F/ d* x2 z- b9 zNoise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444
- m4 J4 O# V( y$ `0 R6 ONoise of a current mirror with series R:+ C2 O- `. G; l
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
0 v$ F8 B/ p# ?' W( {7 r; r還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
; ^7 r+ p* F5 |# s' L( C謝謝~~幫忙回附一下: ?; o3 }- h$ B7 C% U
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513" l' [( s9 |/ a# f: O
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
0 L. H5 a! V4 M* d; A. ]1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。, I3 b/ j, g# B
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
/ n. @- U8 D! J8 R3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513
) B! X$ G. b: {; H分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下5 R5 I0 `& d6 }& Y) Y( u+ m
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。; @; ]7 @$ V  |; x2 u
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
+ C$ S' G! e5 v2 U3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222" g" [, c& {+ U/ Y3 n
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
. Y2 R  t" p: p4 V+ H4 G' R- h. U9 Y' e6 q
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
+ h; ]& P! G' a+ ]% H用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
5 F+ _: W8 j) ?/ ?所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
; G2 r8 J  q7 f* @
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222( @7 J6 g# b; ]9 G1 U
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)' b) G0 m5 K1 _& G; ]& R# I; ?

$ J! I7 V, \) Y; U) t=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
0 ~0 k/ u* T5 ~1 r/ _1 G用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻9 _* l$ ?( L' a0 N4 O, e. m, W) R
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)& z/ ?& o$ t0 w' E, ]& Y% M* H
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222
, N. l: `, |$ bVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
( {% @9 f/ F# h
8 H! l8 N+ X1 Q8 ]: ?- b# |=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2" {( e3 \) W: t6 T$ O# t
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻/ z- v4 F4 H( I/ _- k
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
. s3 J9 t2 t' L
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 22223 S& B. q- M: k' J& h, d. U
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
  N) p7 F$ m  E
7 Y5 K$ T+ s  c* g=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
  Z3 z' K2 ^7 O$ @3 K用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
- P5 B( |$ A. v所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
: {3 O2 d( v  v# |4 J6 a
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA9 y) R9 ^# G2 R5 |3 F6 m- o, p: d
+ c$ Y, B5 b- @. v) w8 x
gmmax 應該是C1WC1/2C3, @' w% f' D* U3 `8 }. R; e

0 z9 D* ?# ]9 z  F=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM8 m1 u- }8 }3 c& T9 a0 R8 L. T
slide 2222
6 y' w0 {. d5 q3 o  z/ r7 yVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
# X, s7 t/ w* |6 G" ]$ M, G
gmA~ 4RsCL^2Ws^2
0 \; O; M5 `" u: K3 iand 4WsCL^2/QCS
4 g6 B: O2 ]* X1 F$ W) w0 Q; a3 E* u  S% @# M  R2 }7 r

8 |6 I) Q  m& s7 O' X
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP 0 f0 U& }  j8 x1 d

, y) T- P7 g+ y4 d* X. i8 {+ N% rIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)# i; R9 e/ Z1 ^. Q/ c) V* B
7 Q* C8 J  Y$ v: i
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
60#
 樓主| 發表於 2024-6-4 10:22:38 | 只看該作者
Design of Crystal Oscillators   P* f. O/ Y1 Q$ r9 w" p
slide 2255補充資料:Two stage ring oscillator analysis# j3 O+ F5 y. F$ ^/ r1 h

5 X  l# y$ n+ }. l4 Ghttps://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing
" I3 R* m# {% G3 b
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