IR推出兩款可配置雙相位PWM控制IC 適用於高效能同步降壓DC-DC轉換器

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工具與支援
6 }! k% H8 G2 a& f8 y: b) QDAC34SH84EVM 評估模組現已開始供貨，每套建議售價為499美元。此模組包含變壓器耦合 IF 輸出以直接進行 DAC34SH84評估。

針對完整的單位位元RF發送器原型設計 (bit-to-RF transmitter prototyping)，TSW30SH84EVM 包含 DAC34SH84與 TRF3705 IQ 調變器、LMK04800 超低抖動時脈消除器 (ultra-low jitter clock cleaner)、TI 電源管理元件如 DC/DC 轉換器、低雜訊 LDO，及功率放大器等，該評估模組現已開始供貨，每套建議零售價格為499美元。

" K3 [- [5 m& w針對供給DAC34H84EVM的高速訊號擷取，最新 TSW1400EVM 訊號生成模組具有高速雙數據速率低電壓差分訊號發送 (LVDS) 輸出匯流排，以每單位位元1.5 GSPS 速率支援 16 位元資料。結合 DAC34SH84EVM 或 TSW30SH84EVM 一起使用，TSW1400EVM的大型電路板記憶體，可實現模組化訊號生成 (modulated pattern generation)，提升評估環境彈性。TSW1400EVM 現已開始供貨，每套建議零售價格為649美元。

' h% ]# r' D# K: l! I, A$ a  d) I1 Z最新 TSW1406EVM 訊號生成模組支援每位元速率高達 1 GSPS ，提供更低成本的簡易訊號生成替代方案，此模組預計於 3 月開始供貨，每套建議零售價格為99美元。

# }, L; h9 m/ V. ]+ ^' E' j) w驗證電路板訊號完整性的 IBIS 模型也已開始提供。
       
! z& t, q) n7 t: m' A9 M* `供貨、封裝與價格
$ ^  [0 p7 Z# c) X" H採用小型 12 mm x 12 mm BGA封裝的 DAC34SH84 現已開始提供樣品。預計將於2012年第 2 季開始量產，每千顆單位建議售價為78美元。

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IR為節能反相馬達驅動應用推出IRS2334SPbF及IRS2334MPbF 600V IC


全球功率半導體和管理方案領導廠商– 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出精密的IRS2334SPbF和IRS2334MPbF三相位600V IC，適用於節能家電及工業應用中的反相馬達驅動器。

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IRS2334SPbF採用SOIC20WB封裝，而IRS2334MPbF則以QFN5X5封裝供貨，佔位面積只有25 mm2，並按照合適的爬電與間隙距離要求來設計，確保產品堅固耐用，電壓可高達600V。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「反相馬達驅動器的效率表現比效率不足50%的標準開關驅動器優勝達80%。IRS2334SPbF及IRS2334MPbF帶來精密的解決方案，且易於實施，能夠讓設計師利用尺寸最小的節能逆變器，設計出電動工具、冰箱壓縮機和電風扇等產品。」

IRS2334x系列提供全面的保護，包括專有的負電壓尖峰(Vs) 免疫功能，確保在極端的開關條件及短路情況下維持安全操作。這些輸出驅動器備有高脈衝電流緩衝級，可將驅動器跨導降到最低；至於配對傳播延遲則能夠簡化高頻率應用。此外，浮動通道可在高側配置內驅動N-通道功率MOSFET或IGBT。
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全新的IC利用IR先進的高壓IC (HVIC) 製程，包含了下一代高壓電平位移及端接技術，從而提供頂級的過應力保護及更高場可靠性。IRS2334x的功能還包括欠壓銷定保護、整合式停滯時間保護與擊穿保護。新元件亦具備先進的輸入濾波器和低di/dt閘極驅動器，有助增加噪聲免疫力。新系列的輸出和輸入同相，並與3.3V輸入邏輯相容。

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IRµIPM功率模組為家電及輕工業應用 提供具成本效益且高效率馬達控制解決方案 占位面積減少高達六成

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* Y0 s, `3 M3 f6 D% W& b, D全球功率半導體和管理方案領導廠商– 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列高度整合、超精密的專利待批µIPM功率模組，適用於高效率家電與輕工業應用，包括冷藏設備的壓縮機驅動器、循環加熱和水所用的泵、空調扇、洗碗機及自動化系統。µIPM系列利用創新的封裝解決方案，創造了元件尺寸新基準，較現有的3相位馬達控制功率IC，減少高達60%的佔位面積。

全新µIPM系列採用超精密12x12x0.9mm PQFN封裝，配備多種完全整合的3相位表面黏著馬達控制電路解決方案。IR為相關市場率先引入全新的方法，利用PCB銅線替模組散熱，從而透過較小的封裝設計來減低成本，甚至省卻外置散熱片的需要。此外，標準QFN封裝技術較傳統雙列直插式模組方案，進一步簡化組裝程序。方法是減省穿孔式第二流道組裝，以及提升散熱性能。

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IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR的µIPM產品憑藉創新的封裝解決方案，不僅較現有的領先方案，減少高達60%的占位面積，而且有利於促進輸出電流能力及系統效率。全新的µIPM系列易於使用，散熱性能有所提升，整體系統尺寸也得以減少。設計師與系統整合商因而能夠設計出更具成本效益，且先進的馬達控制解決方案。」
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8 n4 J0 C  o+ V' }' ]IR的µIPM系列採用通用引腳和封裝尺寸，提供可延展的功率解決方案。該產品系列配備專為優化變頻驅動器而設，既堅固耐用亦高效率的高壓FredFET MOSFET開關，配合IR最先進的高壓驅動器IC，提供由2A到4A不等的流額定值，而電壓則可以是250V或500V。
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** RMS，Fc=16kHz，2相位脈衝寬度調變，∆TCA=70°C，TA ≈ 25°C

4 |6 ]0 k4 w  R6 N1 j7 {, e0 G6 a8 m產品現正接受批量訂單。有關元件符合電子產品有害物質限制指令(RoHS)。數據資料、應用手冊、專屬白皮書，以及為損耗模型運算和電流額定值預估而設的網路工具現已供應。

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IR為家電馬達驅動器擴充IGBT陣營  推出600V 溝槽型超高速IRGR4045DPBF及IRGS4045DPBF
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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF，藉以擴充絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 陣營。全新600V溝槽型超高速IGBT能夠為洗衣機和冰箱等家電與輕工業馬達驅動應用提升效能及效率。

IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF利用IR有助於大幅減低開關與導通損耗的薄晶圓場截止溝槽型技術，在更高頻率下提升功率密度與效率。全新IGBT與二極管共同採用DPAK 或D2Pak封裝，並且配備6A標稱電流及≥ 5µs的最低短路額定值。

全新元件亦具備能夠減低功率耗散與提升功率密度的低Vce(on)，以及易於並聯的正Vce(on) 溫度係數。IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF經過優化後適用於廣闊的開關頻率範圍，最高達20kHz。

! b( r, A) E& U) g- D3 `2 D) fIR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF兩款元件擴充了IR強大的IGBT陣營，並且為高效能家電與輕工業應用帶來高效可靠的解決方案。」

IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF可以晶片或封裝元件形式供應，其他主要功能包括經過優化的方形反向偏置安全工作區 (RBSOA)、最高達175°C的結溫，以及能夠促進可靠性的低電磁干擾  (EMI) 。

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IR 先進多功能SmartRectifier配備同步功能 有助簡化設計及降低整體系統成本

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充SmartRectifier IC陣容，為交流-直流轉接器、個人電腦、伺服器及電訊開關模式電源 (SMPS) 應用內的返馳、正向和半橋式轉換器，推出IR1169高速同步整流器 (SR) 控制器。

6 l9 D# a1 H7 Q; Y& v$ l, L4 UIR1169的同步功能可把同步整流器MOSFET關閉，防止在連續傳導模式 (CCM) 操作下出現逆向電流，從而提升功能和可靠性。該先進的元件有別於現有解決方案，能夠透過直接傳感功能與電容器耦合，簡化設計及降低整體系統成本。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「同步整流無疑較基於二極體的設計大幅節能。然而，傳統的同步整流模式繁複，而且往往需要搭配很多元件。先進的IR6119 SmartRectifier則能夠提升功率密度，促進在返馳、正向和半橋式拓撲內的效率及可靠性；且能簡化設計及減少產品的元件數量，藉以降低整體系統成本。」

IR1169具有IR專利的200V高壓IC技術，以支援脈衝模式操作。即使在輕載的情況下，該元件也可提升效率。IR1169憑藉先進的消隱電路與雙脈衝抑制功能，達到堅固耐用的特性及噪音免疫能力，確保在固定和變頻應用內維持可靠的操作。

& _" d+ `0 k! E# Z其他主要功能包括最高達500kHz開關頻率、防跳動邏輯和欠壓閉鎖 (UVLO) 保護、4A峰值關閉閘極驅動電流、微功率啟動和低靜態電流、10.7V閘極驅動箝位、50ns關閉傳播延遲，以及從11V到20V的寬廣Vcc操作範圍。

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IR推出更強線上IGBT產品選擇及效能評估工具進一步簡化元件選擇和優化流程
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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 提升絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 選擇工具的效能，藉以優化馬達驅動器、不斷電供應系統 (UPS)、太陽能逆變器及焊接等多種應用的設計。

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IR新的IGBT選擇工具效能更強，可評估匯流排電壓、負載電流、開關頻率、短路保護要求、封裝及熱系統等應用情況。新功能包含了可自訂的熱限制設定及電流對頻率輸出圖，以便比較元件在不同操作條件下的表現。

該IGBT選擇工具已在http://mypower.irf.com/IGBT供應，提供符合以至超出用戶所鍵入應用參數的產品列表。有關產品的排名按效能而定，並在特定的操作情況下，把功耗和結溫列入考慮因素，以促進選擇流程。
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2 r2 i/ [- [! RIR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR提供一系列IGBT產品，為不同的應用優化逆變器設計。功能更強的線上選擇工具有助於工程師更迅速輕易比較元件的效能，從而為他們的設計選出最理想的IGBT。」

IGBT的選擇需要評估多個參數，而且開關損耗可用導通損耗來取代，所以不能簡化為單一數式。為此，IR的產品選擇工具製作了電流對頻率圖表，充分顯示不同IGBT的相關效能。有了這些資料，設計師就可為應用選擇最符合成本效益的IGBT。

mister_liu

IR推出第三代高電流 SupIRBuck 負載點穩壓器IR3847 提供卓越效能，可大幅減少電路板尺寸達70%及簡化設計 該業界頂尖的穩壓器適用於高效能通訊和運算應用

9 t3 w5 S7 c0 f7 k全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3847高電流負載點 (POL) 整合式穩壓器，該產品可將採用了5x6 mm纖巧封裝之IR第三代SupIRBuck系列的額定電流擴大至25A。

* B) Q3 v" E- b9 M  m由於IR3847所使用的全新熱增強式封裝採用銅夾技術和多項自主創新的控制器技術，所以該元件不需要散熱片即可在25A電流下操作。其電路板尺寸也因而比其他整合式解決方案減少了20%，比採用了控制器和功率MOSFET的分立式解決方案則減少了70%，使一套完整的25A電源解決方案得以在168mm2 大小的電路板中實行。
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新元件整合了IR新一代功率MOSFET，配備功能豐富的第三代SupIRBuck控制器。該控制器的主要功能包括封裝後精確停滯時間調整，有助於把損耗減至最低；以及內部智能低壓降線性穩壓器 (LDO)，能夠優化整個負載範圍內的效率。新元件還整合了高電流應用所必需的真正差分遙感功能，以及從25°C到 105°C溫度範圍內的0.5%參考電壓準確度、輸入前饋和極低抖動效能，從而將線路、負載和溫度上的總輸出電壓準確度控制在3%以內，滿足高效能通訊和運算系統的需求。

mister_liu

作為IR的第三代SupIRBuck單一輸入電壓 (5V-21V) 系列的最新產品，IR3847採用專門的調制方案，與標準解決方案相比，可將抖動減少90%。由此帶來的另一效益是，可以將輸出電壓波紋減少約30%，並且達到更高頻率或更高頻寬的操作，藉以帶來更小尺寸、更理想的瞬態反應和更少的輸出電容。
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/ L/ c4 s5 k  R3 ?1 j' H! ~/ V7 mIR3847採用了纖巧的PQFN 5×6mm 封裝，為15A 到 25A應用帶來市場領先的電氣和熱效能，例如達到超過96%的尖峰效率，以及在25A電流下溫度僅上升50°C等。新元件還包含外同步、排序、VTT追蹤和輸出電壓邊限等增強功能。

. _1 o# d7 e! L# k) z* F新元件的引腳分配得到優化，可以輕鬆放置旁路電容器。同時，針對內部電流限制的熱補償功能提供三種設置，不需額外的元件和佈局即可進行編程。
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IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「有了具有真正差分遙感功能的全新高電流IR3847，IR便可以透過完全整合的解決方案化解受到熱度和空間限制的高密度、高電流應用所面臨的挑戰。該方案提供高達25A的電流，能夠在僅有168mm2 大小的電路板上帶來滿足負載要求、3%以上的總輸出準確度，而同類元件的總輸出準確度一般是5%甚至更高。IR3847大幅減少抖動，使脈衝寬度僅為50ns，因而能夠提供更高的閉環頻寬，從而達到更理想的瞬態反應和較低輸出電容，並且可在尺寸更小的電路板中提升頻率操作。我們的客戶期望元件不影響基準效能和密度，IR3847成功滿足這些需求，更進一步簡化設計流程。」

IR3847適合工業市場，提供SupIRBuck的標準功能，包括高達1.5MHz的開關頻率、預偏置啟動、輸入電壓監測啟動、過壓保護、電源良好信號、用於明線反饋和可調校OVP的自選實際輸出電壓感應、內部軟啟動和1.0V最低輸入電壓 (外偏置) ，以及-40oC到125oC的作業結溫。

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IR全新1200V IGBT為馬達驅動器及不斷電供應系統應用提升功率密度和效率
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3 N; _" R; }+ g0 C4 o& G
2 N( u6 \6 N) s. Z& A全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固可靠，並為工業用馬達驅動器及不斷電供應系統 (UPS) 而優化的1200V超高速絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 系列。
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* a3 P* y6 m2 }, d  _8 q9 N* |8 Q( I8 I全新元件利用IR的場截止溝槽式超薄晶圓技術，減少導通和開關損耗。該等元件與軟恢復低Qrr二極體一起封裝，並具有10us最小短路時間額定值，為強固工業應用作出了有效優化。

3 V: S3 e6 I  ^; m  V& [IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「全新1200V溝槽IGBT配備了極低的Vce(on) 和低開關損耗，並且帶來更高的系統效率及穩固的瞬態效能，從而提高可靠性，以充分配合惡劣的工業環境。」

mister_liu

這些封裝元件適用於從10到50A的廣闊電流範圍。其他主要的性能效益包括高達150°C 的Tjmax、有助於並聯的正VCE(on) 溫度係數，以及能夠降低功耗和提升功率密度低VCE(on)。新元件亦可以裸片形式供應。
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採用封裝形式
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元件編號 3 I! B& G- g6 i	封裝	VCES	IC (標稱)	Vceon	Tsc (最小)
IRG7PH30K10D	TO-247AC	1200 V	10 A	2.0 V	10us
IRG7PH30K10D-E	TO247AD 長引線	1200 V	10 A	2.0 V	10us
IRG7PH37K10D	TO-247AC	1200 V	15 A	1.9 V	10us
IRG7PH37K10D-E	TO247AD長引線	1200 V	15 A	1.9 V	10us
IRG7PH44K10D	TO-247AC	1200 V	25 A	1.9 V	10us
IRG7PH44K10D-E	TO247AD長引線	1200 V	25 A	1.9 V	10us
IRG7PH50K10D	TO-247AC	1200 V	40 A	1.9 V	10us
IRG7PH50KD-E	TO247AD長引線 / Q- y# K/ C9 S) B$ `3 W	1200 V	40 A	1.9 V	10us
IRG7PSH54K10D	Super TO-247	1200 V	50 A	1.9 V	10us

產品現正接受批量訂單。全新元件符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS)。數據資料及IGBT產品選擇工具已在 IR 的網站
+ {) _# d! {. P' p; D. O* u) I) H% h. dwww.irf.com供應。產品選擇工具可直接在mypower.irf.com/IGBT存取。

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IR創新功率區塊元件為DC-DC同步降壓應用提供行業領先功率密度
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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出創新功率區塊元件系列首兩款產品 IRFH4251D及IRFH4253D，適用於先進的電訊與網路通訊設備、伺服器、顯示卡、桌上型電腦、超輕薄筆電 (Ultrabook) 和筆記型電腦等DC-DC同步降壓應用。

1 o0 e& j/ O, s" S" V* {- W新款25V IRFH4251D及IRFH4253D配備IR新一代矽技術，並採用了嶄新的5x6 mm PQFN封裝，提供功率密度新基準。全新功率區塊元件具有整合式單片FETKY，而且破天荒採用包含了頂尖的覆接裸片技術的封裝，有效把同步MOSFET源直接連接到印刷電路板的地線層散熱。任何一枚5x6 mm封裝新型元件可憑藉強化的散熱效能和功率密度，取代兩個5x6 mm封裝的標準獨立元件。此外，全新封裝備有已在PowIRStage與SupIRBuck產品內廣泛使用的IR專利單銅彈片，以及經過優化的佈線，有助於大幅減少雜散電感，以降低峰值鳴震。這樣設計師就可選用25V MOSFET，代替效率較低的30V元件。

$ h4 p0 m) Y  _IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IRFH4251D及IRFH4253D功率區塊元件具備頂級的矽技術和多項嶄新功能，加上採用了突破性封裝，為高效能DC-DC開關應用提供行業領先的功率密度。這些元件使用效率更勝一籌的佈線，必可樹立DC-DC雙MOSFET的新行業標準。」

IRFH4251D及IRFH4253D旨在優化5V閘極驅動應用，可與各種控制器或驅動器共同操作，從而帶來設計靈活性，並且比採用了兩個分立式30V功率MOSFET的同類型解決方案，更能以較小的佔位面積實現高電流、效率和頻率。