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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,
) G( @: `0 f  e2 x
  g  Z, R1 U. l+ _懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,
9 P) z% K1 p& k. n: @# v+ ?5 m" ]; O# ~
NMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。
  y. Q# Q1 k: r  i" \! l2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
3 ?* @0 z# I5 M" k
$ u- C$ L( j- u$ F8 h
電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,& T1 j- O$ i3 F1 t( j" }$ E7 ]
標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)
8 {! f4 F4 Q6 X# ]. C* s輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)
8 L& L  z# }4 c, Q. \, H! l在理想的switch中,輸出訊號正常。
  t5 S' p# @& [在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。3 K4 E# |# _) Z6 y
取樣電容大概=400f F左右。
% ?! s4 B$ z7 E+ `5 {) ^' i先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)0 u8 V: q; w' }9 b. K
2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato 3 ^5 K9 l6 S' u4 b# k' S& g

9 U5 w. ~0 o/ v& }
7 X$ ^' y* `+ @0 ~0 ~6 c- l: V    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid
2 i! J$ Q: Z# m6 ^* n2 \/ \) d
1 L! A$ G+ T1 F* w先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖
, Z/ i1 d, ^7 [0 G8 G0 s: N2 Y這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形+ Z( v1 S/ D+ s! @' D' V- u9 v
所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值' L! X+ ?6 I$ b1 a
列成一個表
" t: x2 O9 X9 {9 R之後看表拿進去套用即可
) z5 j- ?( ~  g; I0 f此外此電路SH電容不大
# b* n% i) m) q  A# w會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019 : i3 f" d2 W/ H8 W

1 c7 C" h9 I! u2 j/ L- q
' Z0 e% R; g; `8 s    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?
8 ]9 m) F1 }6 S9 \. O由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,
  j  j& J# ?, r- t. [1 A在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,& _: O; l, t+ u! [( r8 A5 B# D
一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!# B& v: k8 R; Q
看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,
* ^$ {2 v4 C4 O: y/ i建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??
: O! `) h* K7 U1 a6 {前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,
5 D5 d$ [) _8 K, c$ m# o4 }! k另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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