中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電

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深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響
8 M7 d; U) }; f. Y( z0 ~& ^---通道長度與金屬接觸點到複晶矽閘極間距的相依性

一、前言
1 {. T- u3 B  f. d! I, M二、做為靜電放電防護元件的金氧半電晶體
/ L# @( y5 ]! w# q# j三、金氧半電晶體元件在靜電放電下之啟動原理
四、實驗結果與分析推論
五、結論

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alienwarejian

為何CE與RE的規範要以30MHZ為界限

sbm81tw

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balam2018

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myokd

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