bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)

st80069

因為很神奇的，製程裡(.lib檔)沒有BJT，只有NPMOS，
0 `* c0 _$ V& j9 |' o所以，選了一篇paper裡有近似功能的bandgap。
7 J5 e6 N" H5 I8 S0 j
* i5 r# ^3 H0 J! B
而我，沒有任何參考類似bandgap的資料，Rasavi裡也只畫個示意圖，
更不確定我的模擬到底對不對，只是覺得很像...


問題1：請問這樣的模擬圖算OK的嗎?  或者誤差該多少才是合理。還是，有其他更好的架構可以建議的~~~
+ |& c: Z# @, h& K# _3 I問題2：他的公式是怎麼extract VthN 和 Vthp的，好神奇..
" ~" D: @% C  {
- o0 q4 I. b$ x; d2 P4 v  Z
以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
% }' W; d' C! @" Hbandgap無法將壓差降低  
# j) N/ a, ^5 d5 m) ^. r+ \" I' OBand-gap BJT 如果 layout 不 match
bandgap電路的loop gain模擬
9 B; j" p. f+ B7 _& }bandgap设计 仿真中的温度曲线问题！！
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
- R) m5 t  l3 [7 U/ I- W( ZBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作

  z+ D& g6 G) D
) ?0 m- J( E  F  ]; X* e6 D5 o) W" [
[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:03 PM 編輯 ]

vjc5

問題1：請問這樣的模擬圖算OK的嗎?
有符合你的specification嗎? 若有 就OK
$ V/ f9 ?; q1 B/ M5 I問題2：他的公式是怎麼extract VthN 和 Vthp的，好神奇
' g2 g6 a5 o+ U& X; _不懂"extract VthN 和 Vthp的". BGR通常具備正溫度與負溫度係數. 得到與溫度無關
  V8 v* q2 x. V而常見Vref電壓是1.2V 可參考Rasavi

st80069

嗯嗯~~~謝謝vjc5 大大~感激感激~~
喔喔喔~~抱歉，忘了提到我的Vref欲設計的壓值，對不起對不起 ><~~~
8 U: ?$ q. \. @/ o這是sub-1v BGR的paper裡面發現的電路圖~~
$ c( U8 @# p; t* v, u$ q它裡面提到說，vthn 跟 |vthp|都是成負溫度係數，而 |vthp| 的係數又為vthn大，
% V3 e8 @: J& n8 `8 {4 N, E3 I所以從公式裡面看到相減，而vthn又有大於1的倍數，看起來相當合理的樣子。所以就選擇它作為我的電路設計。
3 X# v3 Z$ W9 U5 }4 a9 F2 J, T
/ z. F! Z: G1 g我欲設計的壓值是Vref=0.6v~~
我的specification...恩....好像沒特地提到他的規格...
9 f# N0 E; c; r! x6 t+ }1 O我要做的專題裡，只說明，它需要一個與溫度無關的電路設計提供Vref，
所以，到處尋找有沒有像我這樣-50mv~+50mv的誤差也符合bandgap設計目的的經驗~~
) _1 r" s1 g4 Y& z7 R
  o7 z8 W- w& m5 s" l/ g如果....
有建議我及早放棄這個找尋新的不用BJT(不知道位啥，製程裡就是沒有BJT)
的設計也是可以~~(汗)

alab307

1. 我覺得不OK, 溫度係數太差了
$ ?( [& z& n0 \" D8 g) d$ g) J! b     左邊產生的偏壓還比合併的溫度係數好ㄟ
2. MP, MN的工作區域, 在論文中應該有描述, 你取的size對嗎?
5 p9 f# m# H# ^; W7 m  _    跟論文比一下溫度係數
4 v" P! N3 t+ W9 u1 [7 W) B) F3. CMOS製程都會有寄生的BJT, 只是你拿到的.lib內沒有

st80069

對不起對不起~~~在下眼殘...一直把公式的Vgsn看成treshgold voltage....拍謝拍謝~~~
嗯嗯~~~十萬分的對不起~~~
謝謝大大們不吝嗇花了時間回在下這篇小小的問題~~
; M, U# {3 c* I9 ]0 b9 t4 ^  W" p恩，這樣公式就知道如何推了~~~感謝感謝在感謝~~
2 v5 S& b9 t' y( m
回alab307 ，
1 ?) a( ^, B% p/ U對啊~~大大也發現這個第一點的問題...原來真得不行.....
/ b) ~1 p, I! w$ w我發現的這篇paper，感覺有點像bandgap的合輯，有概念，
但不會很清楚的跑出模擬或製作過程。
& e3 b  Y! v+ l7 r: Y! ^恩....看來要重做...繼續加油~~~

st80069

恩恩~~我做出來了~~
這次模擬的結果，vref = 0.603V，溫度係數約20ppm XD
- J: i: a0 Y; z' `* v' F' X% ?
4 B! s0 e( q+ n9 l5 ]******模擬過程******
因為我發現，就連偏壓電路也會因為溫度而改變偏壓值，
! m) ]: e: v+ C4 a" |所以，為了避免它們所帶來的影響，就連同偏壓電路也一同設計，
1 j) J1 ]: L7 ?vgsn 與 |vgsp| 的溫度係數比還是會依循公式而能找到R1與R2的比值。
* \+ X# l" p! P$ |' l1 [) G1 j( X而這樣，就設計出來了....
*********************************************************

不過，還是有個問題....
因為paper裡寫說需要幾乎能忽略的電流值流經R1 R2，
& ?% H5 y# S- d- _" Q我想目的應該是電流是因為由溫度掌控著，而R1，R2若有電流影響，
則測vgs的溫度係數時也會因為R2，R1上的電壓值改變而不準，所以要大。
4 u+ ?. G7 X% T1 Q
, L7 j/ \6 W# ?4 l. D但是，我取的電阻兩個串聯加起來總共1500K.....這樣，會太大嗎???
我怕layout的時候，面積會....唉唉唉~~
: K: c: a0 G# j( j謝謝大大們不吝給予意見~~

semico_ljj

现在P、NMOS设计的Vbg的ppm可以设计到20一下吗？？？？？？

shinnyi

請問一下你的Mp和Mn的W/L為何呢
* l6 E% C$ a7 x1 H. v" }
另外 R1和R2我加起來是305k而能
之前是串起來是1400k，後來發覺可以不用這麼大，約為305k 左右
$ U- Q: ]9 ]4 G$ G# F0 l, i) `我的vref為240m