RFMD 發表48V 高功率氮化鎵電晶體

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新GaN 產品提供優越的功率、頻寬及效率組合

夏威夷檀香山， 2007 年6 月14 日 – (IEEE MTT-S) –針對驅動行動通訊、設計及製造高效能無線電系統及解決方案的全球領導廠商RF Micro Devices， Inc. (NASDAQ: RFMD)今日發表RF393X家族的48V 氮化鎵 (GaN)功率電晶體。RF393X 產品系列可提供從10W到120W 的功率效能，並具備非常寬廣的可調協頻寬－展現RFMD GaN 技術相對於競爭 GaAs 及矽晶LDMOS 技術之高功率與頻寛之優質結合。
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/ J% e6 w4 w9 X! b9 J4 P, v+ Y8 TRFMD的 RF393X產品系列包含5 款48V GaN非匹配功率電晶體，而每一款均提供14dB至16dB範圍之增益，以及於2.1GHz時高於65%的高峰值汲極效率。RFMD GaN功率電晶體的優異效能特性，使其成為寛頻、高效能功率放大器應用的理想選擇，例如：廣播電視、無線基礎架構、高功率雷達、航太電子設備等。RFMD估計GaN高功率半導體的總體目標市場約為十億美元，其中，GaN非匹配功率電晶體約為一億五千萬美元。該公司目前已與多重市場中之頂級客戶進行合作，並預計於2007年下半年開始量產。
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3 `5 i0 u( p% @7 |' NRFMD 總裁暨執行長Bob Bruggeworth 表示：「RFMD 已準備好爭取達十億美元之高功率半導體重要市場之佔有率，我們擁有在無線半導體產業中無與倫比的客戶關係，且是複合半導體製造產業的領導者，同時也是蜂巢式功率放大器的世界領導品牌。我們正發揮這些核心競爭力，以在多重高成長率的市場中，拓展我們的GaN 產品組合，以開發新成長機會。」
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RFMD 目前正開發三個高電壓GaN 產品系列。除Gan 功率電晶體之外，該公司亦正開發高功率GaN RF 積體電路(RFIC)以及高功率GaN 匹配電晶體。高功率GaN RFIC 能與高功率放大器完全匹配，其於多重八度音頻寛皆能提供高效率，且適用於軍事通訊、公眾行動無線電以及軟體定義無線電(SDR)。此高功率GaN 匹配電晶體包括內部匹配元件以提升阻抗和效率，並且適合如高功率雷達和針對WCDMA 和WiMAX 的基礎架構應用。
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% l! n* d  }( h$ W$ I/ j關於 RFMD:
RF Micro Devices， Inc. (NASDAQ: RFMD)是針對驅動行動通訊應用，設計及製造高效能無線電系統及解決方案的全球領導廠商。RFMD 的功率放大器、轉換模組、行動電話收發器及系統單晶片(SOC) 解決方案致能了全球的無線應用，提供強化的連結性、並支援今日及新一代行動電話、手機基地台、無線區域網路 (WLAN)、 WPAN 及全球定位系統GPS 之先進功能。

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新低雜訊放大器鎖定基地台、WLAN 及負載點無線電

9 o* ^$ q7 u5 o$ |+ H夏威夷檀香山, 2007 年6 月14 日 – (IEEE MTT-S) –針對驅動行動通訊、設計及製造高效能無線電系統及解決方案的全球領導廠商RF Micro Devices， Inc. (NASDAQ: RFMD) 今日發表砷化鎵(GaAs )擬態高速移動電子電晶體(pHEMT) 低雜訊放大器(LNA) RF386X 系列。RFMD 的新pHEMT LNA 具備700MHz 至3800MHz 的能力，並提供相較於競爭者產品最佳的低雜訊和高線性效能組合。新寬頻LNA 非常適合無線網路應用，包括蜂巢式、WLAN 和WiMAX 基礎設施等。

RFMD 基礎架構產品事業群副總裁Jeff Shealy 表示：「新RF386X 系列的LNA ，涵蓋多重八度音頻，並提供絕佳的雜訊效能及線性度，而造就了一個針對多重無線電應用，為客戶提供強化訊號品質的單一零組件。我們最具競爭力的寬頻解決方案，已經於全球多重成長市場中，獲得設計導入合作。」

RF386X 系列的LNA，專為CDMA 、PCS 、DCS 、UMTS 、WLAN 和WiMAX 應用之第一階低雜訊及線性驅動放大作用而設計。LNA 提供各種配置方式， 包括單階、雙階及雙通道，而各LNA 均為內部匹配，使網路設計者能以最小的外部偏壓達到最大彈性，而能簡化設計需求，並加速產品上市時程。每個RF386X LNA 並均採用低成本、業界標準的QFN 封裝。RFMD 是如LNA 等小訊號元件之領導供應商，目前已出貨超過4 億個小訊號元件，主要並針對手機產業。隨著新LNA 和其它基礎設施產品快速進入多重成長市場，RFMD 亦正發揮其現有的核心競爭力，包括設計專業、複合半導體製程技術、封裝技術、及製造測量之專長。