美光科技公司（NASDAQ股票代碼：MU）和 Intel 今日宣佈了他們在 3D XPoint™ 合作開發計劃的最新進展，推出一個比 NAND 記憶體具備更低延遲時間且耐用性大幅增加的全新非揮發性記憶體。 兩家公司已同意第二代 3D XPoint 技術開發的共同合作，預計將於 2019 上半年完成。第二代 3D XPoint 技術之後更先進的技術開發將由兩家公司各自進行，以發展出最佳的技術，應因自家產品和業務的需求。 兩家公司將在猶他州李海 (Lehi) 的Intel-Micron Flash Technologies廠 (簡稱 “IMFT”) 繼續以 3D XPoint 技術製造相關記憶體產品。 美光技術開發執行副總裁 Scott DeBoer 表示：「美光在記憶體發展上擁有 40 年的研發創新專業地位，我們將繼續推動發展下一代 3D XPoint 技術。我們對能應用此一先進技術所開發的產品感到相當興奮， 這技術將有助於我們的客戶享有獨特的記憶體和儲存性能優勢。透過獨立開發 3D XPoint 技術，美光得以為自家的產品規劃藍圖，開發出更優異的技術，並兼顧客戶和股東的最大利益。」 Intel非揮發性記憶體解决方案事業群資深副總裁暨總經理 Rob Crooke 表示：「由於我們客戶提供顧客和資料中心市場的支援，Intel 已推出廣泛 的Optane 產品組合，並取得領導性的地位。Intel Optane 與全球最先進運算平台的直接連結在 IT 和消費應用方面已有突破性的成果。我們計劃延續這個發展動能，結合高密度 3D NAND 技術，擴大在 Optane的領先地位，為現今的運算和儲存需求提供最佳解決方案。」 |
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