英飛凌推出 CoolSiC™ MOSFET 1700 V SMD 封裝 為高壓輔助電源供應器提供最佳效率並降 ...

英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 擴充旗下 CoolSiC™ MOSFET 系列電壓等級，繼今年稍早推出的 650 V 產品後，現在更新添具專屬溝槽式半導體技術的 1700 V 電壓等級產品。新款 1700 V 表面黏著裝置 (SMD) 產品充分發揮了碳化矽 (SiC) 強大的物理特性，提供優異的可靠性和低切換及導通損耗。1700 V CoolSiC MOSFET 適用於三相轉換系統的輔助電源供應器，例如：馬達、再生能源、充電基礎設施及 HVDC 系統等。

英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 擴充旗下 CoolSiC™ MOSFET 系列電壓等級，繼今年稍早推出的 650 V 產品後，現在更新添具專屬溝槽式半導體技術的 1700 V 電壓等級產品。新款 1700 V 表面黏著裝置 (SMD) 產品充分發揮了碳化矽 (SiC) 強大的物理特性，提供優異的可靠性和低切換及導通損耗。1700 V CoolSiC MOSFET 適用於三相轉換系統的輔助電源供應器，例如：馬達、再生能源、充電基礎設施及 HVDC 系統等。

全新 1700 V CoolSiC 溝槽式 MOSFET 適用於 +12 V/0 V 閘極源極電壓與一般 PWM 控制器相容的返馳式拓撲，因此，無需閘極驅動 IC，就能直接以返馳式控制器來運作。導通電阻額定值為 450 mΩ、650 mΩ 或 1000 mΩ。全新 7 引腳 D2PAK SMD 封裝提供 7 mm 以上的爬沿距離及空間距離，可實現一般 1700 V 應用的要求和 PCB 規格，將整個設計的隔離效果降到最少。

供貨情況

採用 D2PAK-7L 封裝的 1700 V CoolSiC MOSFET 已開始批量上市。