大聯大世平集團推出基於onsemi產品的高頻小型化工業電源方案 ...

圖1：大聯大世平基於onsemi產品的高頻小型化工業電源方案的展示板圖

在“雙碳”話題愈演愈烈的當下，以GaN氮化鎵/SiC碳化矽為材料的功率半導體器件進入了加速發展車道。GaN和SiC被稱為“寬帶隙半導體(WBG)”，具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優異特性，可以幫助產品實現更高的開關效率。據業內人士介紹，GaN是最接近理想的半導體開關器件，能夠以非常高的效能和高功率密度來實現電源轉換，輕鬆滿足服務器和雲端數據中心最嚴格的80+規範或USB PD外部適配器的歐盟行為準則Tier 2標準。基於此背景，大聯大世平推出基於onsemi NCP51561的高頻小型化工業電源方案。

圖2：大聯大世平基於onsemi產品的高頻小型化工業電源方案的場景應用圖

NCP51561是onsemi推出的一款高壓隔離型雙通道門極驅動器，具有4.5A源電流和9A灌電流峰值能力。該新器件適用於矽功率MOSFET和基於SiC的MOSFET器件的快速開關，提供短且匹配的傳播延遲。

圖3：大聯大世平基於onsemi產品的高頻小型化工業電源方案的方塊圖

此外，NCP51561還具有兩個獨立的5kVRMS（UL1577級）電隔離門極驅動器通道，可用作兩個下橋、兩個上橋開關或一個半橋驅動器，具備可編程的死區時間。不僅如此，器件的一個使能引腳能同時關斷兩個輸出，且NCP51561提供其他重要的保護功能，如用於兩個門極驅動器的獨立欠壓鎖定（UVLO）和使能功能。得益於這些出色的功能，可有效提高小型化工業電源的能源轉換效率。

核心技術優勢：

• 兩個輸出驅動器擁有獨立UVLO保護；
• 輸出電壓為6.5V至30V，具有5V、8V和17V UVLO閾值；
• 4A峰值電流源，8A峰值電流吸收；
• 150V/ns dV/dt抗擾度；
• 36 ns典型傳遞延遲；
• 8 ns最大延遲匹配；
• 可編程輸入邏輯；
• 通過ANB的單或雙輸入模式；
• 可編程死區時間；
• Enable功能；
• 隔離與安全：
• 從輸入到每個輸出的5kVRMS電流隔離和輸出通道之間的1200V峰值差分電壓；
• 1200V工作電壓（根據VDE0884−11要求）。

方案規格：

• 雙低側、雙高側或半橋驅動器；
• 輸出電源電壓為6.5V至30V，具有5V、8V和17V UVLO閾值；
• 4A峰值電流源，8A峰值電流吸收。