致力於先進半導體製造的隨機性（stochastics）微影誤差量測與控制解決方案領導業者Fractilia，今天宣布推出Fractilia堆疊量測方案（Fractilia Overlay Package），能夠為Fractilia的MetroLER™與FAME™增加重要的全新堆疊量測與分析功能。Fractilia產品結合獨家專利的反向線掃瞄模型技術（FILM™）與真正的計算量測，是唯一經過驗證的晶圓製造廠解決方案，可以對所有主要隨機效應提供高精準度的量測，而這也是先進製程上最大且單一的微影圖形（patterning）錯誤來源。Fractilia目前正與多家業界領先晶片製造商合作，使用全新的Fractilia堆疊量測方案為掃描式電子顯微鏡（SEM）的疊對影像數據進行分析。
在半導體製造過程中，微影堆疊指的是相對於之前的圖案層，精確地放置每一個圖案層，以確保裝置功能正常。晶片製造商傳統上使用光學計量工具以量測並控制圖案的堆疊，而它對於生產出高良率與高效能的半導體裝置來說是不可或缺的。這些測量是在切割道中的特殊目標上進行，而非在裝置本身。隨著晶片本身的形態尺寸持續縮小，隨機變異性在採用EUV製程後也會跟著上升，故切割道中的測量數值與裝置實際的情況間的偏差亦會越來越大。因此，業界逐漸趨於使用SEM測量堆疊取代光學計量，來獲得更高的解析度與精準度；與此同時，SEM也會把雜訊帶入影像，而這些雜訊很容易與晶圓上的隨機變異產生混淆。 Fractilia技術長Chris Mack表示：「業界越來越常使用SEM測量堆疊，以提升對先進製程的圖形管控，但SEM的隨機性與系統性錯誤依然會干擾他們對於隨機性變異的量測。」他指出：「透過我們成熟的FILM™技術，Fractilia在測量與去除SEM雜訊方面可說是無懈可擊；因此，我們的客戶正轉向應用Fractilia技術以提升他們在SEM堆疊測量值的準確度。此外，我們相信透過Fractilia堆疊測量方案結合SEM隨機性誤差測量與光學堆疊測量，不僅可以提升SEM堆疊計量的準確度，還能提供更好的批量處理與可校正性，並在提升圖案管控的同時，也能降低非零偏移（NZO）或其變異性。」 「去除雜訊」的量測值能為更精確呈現晶圓製造的實際情況 Fractilia的FAME解決方案使用獨特、符合物理定律的SEM演算模型與資料分析方法，可從SEM影像進行量測並同時修正量測機台的隨機與系統性雜訊，提供晶圓微影圖形（on-wafer）實際的量測值，而非含有雜訊的影像（on-image）圖案量測值。FAME平台可同時量測所有主要隨機效應，包括線邊粗糙度（LER）、線寬粗糙度（LWR）、局部線寬均勻度（LCDU）、局部邊緣圖形置放誤差（LEPE）、隨機缺陷偵測以及提供臨界尺寸（CD）量測。FAME平台提供業界最佳訊噪比的邊緣偏移檢測，訊噪比相較於其它解決方案高出5倍，且每張SEM影像可以擷取出超過30倍的特徵資料。 借助全新的Fractilia堆疊量測方案，在現有的測量技術基礎上提供了SEM堆疊量測的高準確性，包括測量其隨機性。Fractilia的產品已經獲得業界數十家企業的採用，包括領先的半導體製造商、設備公司、材料供應商以及研究機構。 |
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