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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
0 K& H0 l( N5 _7 V
# o+ X  N4 j6 `' E6 |; t, upoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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2#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
! N! C/ F6 D& F' I0 w4 ]% V大部分是要match
" L8 }5 F" f; Y% e) J: qMetal poly  density  不夠& y  i/ M! j" [  X( W. N
加ㄉ那些也較 DUMMY
; I! E( f$ v9 y把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
3#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
% f: U! i. I5 l
7 q# V; ?+ |2 m4 O" l* k# r7 E! j1 G+ i' s# T5 K; G' V3 ^  U  _8 Z
    感謝樓上的大大
, Q% F% N7 n" ~! G   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
4#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 ( g; c$ @4 l7 n# ~' O
. Z# I$ v/ w: m! B: A

" S4 T! h+ C. R5 G" p    感謝您回覆的這麼的詳細/ f* I' W& ^5 Y& E- @5 ^
您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
: G# ~4 B" i* E5 d0 z/ v: p4 A7 U# i8 y) x; u- ^5 A
不過簡單來說
$ Y, R9 B7 b3 c: `5 P在製程時食刻會破壞掉你的元件
$ b/ ?' K, |* j. z% p% ~而特性就被損壞
; z$ ^- A. D3 ?$ X3 E' x' I
- A: ^  o; W7 n" @* L& D* e+ |* q  [若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>. w; t& J' a9 ~3 x0 A# f# R
所以蝕刻吃他最多
; c  W' p* p8 ?' e. E4 {* u% U主要部份特性就不會被破壞2 l9 |+ H1 `( j$ b1 ^, l

9 p( w+ Z' W$ r+ p. F  n很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>% ]3 E) T$ s: A/ l+ ~% F+ W' [
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
% f( ~+ o" o3 `2 u! S/ s! |; b$ S7 {8 i- V) u+ u  Z4 B% V
又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加" X' [$ E  L3 t$ K
還有電容也要加
; {0 w$ g- W( S. D1 I5 b. s若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!7 @- x/ x- O+ p8 [/ R( T& [

: A2 r# F2 e3 m6 Y  A$ D# {and i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
9 c, i, u! L, p: gvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
8 L  W5 M" n4 [7 M
; r# y8 M* t, s9 n  [0 f' {

2 h6 _7 h6 ]/ m( D4 q0 x! d    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
# W* F) A# ?, }3 ]# i4 r' m. d
0 _# R0 G+ X; d9 Z& s5 X如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??$ B! n$ m# u3 F6 V4 Q3 D2 O6 |
( |, L; X# Z$ }
數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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