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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias+ F: S& ]9 s- I! B, a

, Q. n* V% c0 v& K9 ]4 @* D4 e: opoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
+ [9 O/ K7 }  G) s; w  i大部分是要match. |. ~3 Y8 w- S  b7 D
Metal poly  density  不夠
- k: F$ L3 S# p- ]% t. G+ U: {4 @加ㄉ那些也較 DUMMY
7 P( B3 D2 P# S% J6 d把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
/ h* ]6 I4 [5 `6 |! i! M% a: s$ ~+ `" c2 v# F8 d; N5 N3 X/ J

( g* w. J4 I! @    感謝樓上的大大
6 e) o& K8 v3 F: Y/ \0 c   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
+ ]' R; ?: I& A* s
# }2 w' Q1 ?/ Z% M2 S
8 {& s( ?, {! T+ G    感謝您回覆的這麼的詳細& n' H2 q/ D: x: g$ O6 A+ K
您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
/ C  t; E1 |, t, w  C* W# M& q3 O: x' c9 `  p" n7 v& C7 Y
不過簡單來說  R# I& A3 |9 R8 V, }
在製程時食刻會破壞掉你的元件
* G* G% V6 I7 a而特性就被損壞
# _, G$ F  T4 I3 t0 g
) H% Q( @( i# A若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
2 S) S# g: r$ o所以蝕刻吃他最多
3 T& K6 e! c9 u, `# R! R主要部份特性就不會被破壞) A' x% W# ~& d- W6 t+ x

( w/ x" N  }6 {很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
/ ?* T* F6 \- g所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享9 g  Z$ F; y4 Z$ {0 r  N$ P

. ?% j  k% F4 h! V/ z又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加4 {  ^% W; |$ K
還有電容也要加
+ {4 M  G/ r; c5 e/ E/ z6 y4 d若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!  G) a' D. ?" N5 j! V' b5 @
/ U8 _5 i& D/ i% H
and i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...4 X# l- L+ I% T: h: Q0 B+ O5 z) S
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

( ]  }- ~7 ?# {8 A  S/ D) R5 [% Y" {3 z: h# p& M
) ^! M2 f# r3 E/ D8 }
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
6 y* f+ H7 I8 A( f% G8 c' I; F2 i* C# M! y
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??) Y9 m7 f) _% l, j7 i
6 r( u% ], F/ H* Z2 n
數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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