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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.4 e  X; ~% V; ?) t5 |
ESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。$ j! G( T; W# z. N) o  H4 G3 _
0 j: s' k! O/ B5 \6 D& s3 u
Esd test summary:& s+ R  @) s! j- x; n. g- H2 t

6 }( b5 v2 l+ Y' l# g' ]ESD TEST ; z* ?1 ]5 {% S, E. ]! Q

9 k+ ?0 o' `" i  ]0 R- ?1 k6 [2 T% U; g6 [4 _  T3 n% w
PAD
1 `/ t& O' l1 c

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong ; K  y6 P5 N  C% u! j  ?* t

/ I% E' l0 w7 ^% z4 g' F/ M) t整體佈局
8 _! V! d3 j  h" O( i# `1 t( ?: n! Z8 m) k7 M
pad    layout
) U# g7 r4 B1 V* Dvdd&pin 28-38,1  esd protection
" W* M( @- y: {1 W: e+ G9 y& l) A7 A. e5 K' M* J- R  a6 a7 _
pad 39 40 esd  protection% A2 k- m! p/ ^$ O& I

- `% ]: x# ^) T' [! p' z/ x' Pgnd &pad7-14 esd  protection/ U, y6 u7 U# ^

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1
5 P8 ~' n% M% j9 V, F4 L; X  x1 m" u5 j4 A4 s* l
% L1 I& t! [4 l+ |! L, M
    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎? , P! M! e% g" H* v* E; h
/ c; b& p5 }! X$ c3 O
7 L3 v0 h7 m$ z& [/ P) y+ \
輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong 7 }, ~6 O  X( g' _" _2 w
可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712
' \, Y) `( W1 |9 i9 I  d0 H8 [0 W) [1 v1 e& t9 \
* O; x8 O) R5 Q: h3 G, ^/ I
   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong
! _0 V. {0 b# J8 Z我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712
0 g& @4 x1 @& z# q; P" f; U: f( X! I' Q6 K5 I6 Q) \
- V- q( T, l+ l4 r% z: \$ P/ J
    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯
$ f* ~. T) w) A% B; o% V. `
4 l' v6 G2 N3 |0 D4 x5 M  E回復 12# jian1712 2 g5 R: C% {+ o
- w* G5 x1 a9 |/ [- e  W2 P& t
, f) p' z0 h( D/ {( Y" \2 V
    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。
* I/ f8 k4 Q: _$ d. x, I6 ?" c$ q2 C9 r5 R
  V+ j* P1 z- S- e
  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712
: V2 \/ @! W8 {8 n: L/ ~7 Q9 G$ ?) e& v& J' U$ k) p  `7 Z

& I/ q8 _, Z; E  T& x    ' q- i% Y1 p/ {/ R, B2 _

* ~' x3 o2 A8 v" Y  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun * d8 l2 [$ X# |6 N  `
: g' _. u% E" T8 C) V7 u; g
% t& i- z$ S, a( l8 W
    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,
5 l, ]0 y& ^" h* R3 r3 M若PAD沒串電阻, 就直接到gate,
! l" P7 N3 i* ^0 R* A這是相當容易造成gate端燒燬,7 `! ~. L" F* N3 B! @6 S5 Q
給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,
/ U4 c! l! x0 s8 l, W0 \2 y而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,; Q' B: a9 h4 F- Y' ~3 Z! P" b
如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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