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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.
; F& t9 e$ C, o# [7 mESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
* X8 D, A2 t# I) m* _# |: r9 t
& \4 d+ d$ j: TEsd test summary:
4 `) P5 \: b  y  f3 q
; }) l; Y( e  a$ s$ X+ ^ESD TEST # {5 a. W" v5 u

1 e$ M0 X* T! O9 P- h( D4 _0 F' i
: c2 w7 {& h1 O6 ?# mPAD. P9 M  {' p' C+ S# k0 G

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong ; G  H. @( K1 t7 N9 f( @* }
( S& J1 V  _9 q* g' z- [
整體佈局
$ X1 W& j0 O$ s+ z! [0 E0 r; I1 u3 {" [8 f  e0 @% k; I) c
pad    layout
8 @# Y; k" ~8 C0 Z& Y% p- u) ^vdd&pin 28-38,1  esd protection/ A7 [$ L) u8 b9 w8 m, v# m4 `: ^
4 G# Q  _& V& i2 k" L5 l
pad 39 40 esd  protection/ c8 y! E$ h6 o( i5 M, p

1 `( E. p9 }0 ?' G5 `4 g" @/ Wgnd &pad7-14 esd  protection; o' `+ t# k1 t% p3 t9 }

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1
4 |7 w! X& z- S8 P( Q9 i) Y' A$ d) R2 V# g' k# _& n8 x

( E' I/ m) _; j6 d6 Y7 r( D    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎? 1 ]  i) Q( q  y- m; `% ~: a
: h" ?: h5 r* Y' ?7 `1 H
! f8 _' Y% Q% c8 P6 L! Y1 ?: \
輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong
4 e3 I! M( b1 D% x: e可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712
& E6 _7 D0 s+ K( h% ]' U& h1 x' ?% q! v  J. v7 v
$ x, K0 ~4 E, n  p2 _
   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong7 M9 @1 o6 l, ?1 W& ~. B+ _
我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712
. v9 s* n& _7 H' A
$ W8 a1 v; C. `1 `$ C* f* I" C/ ~9 z. j4 y( E  l; v
    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯 . [% ^, y2 X. V# @, ^" e+ |. J! U
7 v' Z+ \. P9 H( s" B3 l( n
回復 12# jian1712
$ o2 P5 e% V) {/ v2 M
9 [$ \  C& I7 b4 H3 {
( M  L) K/ e4 p    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。
" W7 Q$ R% v3 E0 {
7 s: e3 l& @- `: F$ m
4 D* n$ h% ~" K1 ]  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712
0 ]1 _1 e: b" H# |9 J
7 Z% v# m- Y/ G/ ?" R  I: g' k( F  y" [, ~  v
    7 ^% {  M* R5 J) }3 P# Q% f( z
  e; Z, `7 v4 E; b% h# z3 S
  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun
* q. L6 Z( x- [5 [4 [: K2 [, `4 P* M$ {; ], ?

2 |3 ^% b- z2 B: b( [; s- Z& T3 M  I    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,
/ D# n: n. J( q  }, P3 t% Q若PAD沒串電阻, 就直接到gate,4 w6 H& Z+ \' i. s3 S0 W5 [" R
這是相當容易造成gate端燒燬,
5 A, G: f, K1 g: b2 B/ }; m給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,
8 u" c6 I) T5 E/ e$ @. ?& h! J+ Y而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,
3 \8 _3 n  R- p( |如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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