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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟* ~: m" _: X4 J3 Y
0 [1 \! ?) ~5 B. t
OD2作用:/ K  V. Y$ Q. q3 |
1. 增加阻值/ M9 K% ~* F( @) U2 \
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
  Q) D; H! K( b/ E1 U3. 通常用於高壓製程上  O3 i9 W/ i( t+ B0 Z

, Z' R: r$ O& F$ m2 O2 F5 xSAB作用:8 \, `8 ^) ?& ?0 z5 ]1 F0 h1 k2 t
1. 可以用來計算電阻值
+ J: [. R" \/ R* ]  B3 N3 H2. 降低阻值
; v# y& _. {& ~4 X$ K' C" d3. 防止LDD的尖端放電
  A$ g7 p+ d4 P
5 w, k4 e( K6 h) E8 s4 I: y/ a+ c8 C! O3 G- W: p8 K+ |$ \5 u( M
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯 6 K, g. ]+ |2 g% y3 A5 ]8 S
! p- k6 g' B3 q. l5 Y
個人的認知與看法!有錯請指點一下!2 o( k* l5 k1 w% Z) B0 T0 I8 o
) I+ N. c  O- w% O
有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!$ {) g% T0 S- }+ R3 K
, I) Y0 G$ L# ?; G, B; g
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
/ s( A" Y+ u/ C- x能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
, }2 c2 j. Z7 Q' y+ C$ r5 l) y7 R這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的$ c; h( \7 v* q8 a( J/ V+ f& I
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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