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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
' R3 U' _* L% L* w1 Q& N/ ?& x; j9 D! I
OD2作用:
& x2 S9 a, l$ x8 f1. 增加阻值
8 e) E; ^( t$ s: t* b* L+ w2. 防止電流過大而導致元件燒毀0 y6 |- u' @$ B7 j/ x
3. 通常用於高壓製程上0 B% A! n6 H6 k5 [# s$ u1 Y
/ [7 I# I# j  D& ]; _5 X
SAB作用:/ x$ l7 i3 _& c3 \6 S% f
1. 可以用來計算電阻值" q. P, ^4 k) Y' M/ G! N7 Z
2. 降低阻值/ p# U/ X) v* X8 F
3. 防止LDD的尖端放電  d. n3 {, D) N: y* L* _) o6 L
9 I0 e9 J' Y" J
* S& G# R7 D$ n1 _. |/ I9 v6 t/ i
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
; i  T, u( V3 t; e$ |% }" }- ^7 e5 ]$ S% [
個人的認知與看法!有錯請指點一下!
8 k3 a. t2 I; ^8 w* M
9 A( A. S+ V# F6 o1 o" S' o" ?2 x' X有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
! D& P( x! I# m- `4 e( E- \7 E$ J8 h7 z* B1 Q  ], E& R
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!6 b5 Z; H% P! u  Y# k4 ?+ \% b/ I
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚3 E5 B) o, T& D6 ~
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
* I8 S$ [+ Z/ X+ g" ZSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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