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想請問各位大大我使用的製程是UMC181 X# r) C# ^& e9 O( j
; F: Q! v- C2 C s/ C
要如何知道製程的參數?7 D4 o0 X- ?0 R4 O: ]
如:Va , λ ,uncox等等...6 e8 I! v3 d! \9 c9 o8 ?* g
有試過手算，但發現同長度的PMOS在不同電流下(飽和區)，λ值卻不同5 Y' }+ U3 U6 b/ n
ro=1/gds
( {) H) r; z8 Y$ Fro=1/λ*idsat0 ], |6 [" A0 N; Z" L C
λ=1/va*L$ v& E4 I9 {% d9 S {) F
7 g. C( }& o7 J+ f; e4 Z例:2 P. Y) p9 w( h: r! H; C# D8 a
PMOS(saturation) PMOS(saturation)
/ `# W6 o7 c, y" r% B! [W=25u L=0.5u W=25u L=0.5u
9 F6 T( p; u w2 m" g, Uid -8.907e-05 -8.588e-05
N7 M% j# ^6 Qgds 7.941e-06 5.289e-06
/ L5 ]3 P" z" F9 X4 U- C; P5 j' H
算出後:
$ k/ T- H2 B( N, K8 D* dλ 0.089 0.0611 V( ^% @' ^: R& b$ h# ]
+ S. @0 w- y6 S
7 y# o# ~/ S8 B. ^看有些論文寫說λ是工藝給定的
/ c* m ~; K7 t" |- K哪一些製程參數是固定的?還是都是非固定呢?
3 v3 h2 D8 n8 l9 h4 r# d% ]7 Z- E: i& Z) g+ y" ]& ?7 m3 o4 ~
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發表於 2022-7-7 15:03:03
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