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想請問各位大大我使用的製程是UMC18
6 d/ ^7 A5 [" ]9 t; m
2 @" b6 n7 K$ @/ U* ^5 n* V要如何知道製程的參數?8 c8 I" a, _+ z' o- |- n% \/ k' c/ J
如:Va , λ ,uncox等等...' n) M, G* K1 D! l
有試過手算,但發現同長度的PMOS在不同電流下(飽和區),λ值卻不同
. G- n: E6 h+ C9 Sro=1/gds
5 v7 |- a& a+ y, K" oro=1/λ*idsat
! g" a! R9 o# \% M0 {λ=1/va*L
$ I) T3 [4 a/ {# ~" V! a' R' L( e0 F% j
例:: F) ~5 ^# P- W6 H3 z
PMOS(saturation) PMOS(saturation)
) M5 T* t+ f6 }) B& V5 k+ fW=25u L=0.5u W=25u L=0.5u
9 t7 Z$ L3 [. ~. a1 l7 \id -8.907e-05 -8.588e-059 u9 d3 J, u H, i: E# k5 F
gds 7.941e-06 5.289e-06
: c7 T. f( o4 Z7 @) W- p* m$ }% X* [& V J
算出後:3 S, K! N+ j ~
λ 0.089 0.0618 g8 j# J+ y$ t- H4 T6 Q
% u3 l5 G8 D6 c6 e6 M/ F5 M/ H& M
看有些論文寫說λ是工藝給定的2 c/ b0 Y. V' ~* K0 S
哪一些製程參數是固定的?還是都是非固定呢?
7 f5 m& E& Y7 K3 O- t) J( G* N- U( C
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