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想請問各位大大我使用的製程是UMC18
+ i8 e- e+ x+ q
4 R4 n4 q: O9 L; t要如何知道製程的參數?
; N. R* ^0 d) i8 G5 m如:Va , λ ,uncox等等...
3 z5 i# ?* B& i: `- D$ J9 S$ X有試過手算，但發現同長度的PMOS在不同電流下(飽和區)，λ值卻不同
$ P0 p# P9 Q. K/ Iro=1/gds1 l4 C5 P, O/ w. I# }" _
ro=1/λ*idsat. w6 M) \( O6 e
λ=1/va*L7 B& X0 b1 y) ?3 X' l& z0 k
2 h, Q3 x' X& ?% f
例:
; w% x/ b' S2 [$ Y LPMOS(saturation) PMOS(saturation)1 | U) d1 T' u7 Y# A
W=25u L=0.5u W=25u L=0.5u
8 a' }7 T4 P0 Hid -8.907e-05 -8.588e-050 ?( f* ]6 J4 d# ^, j. e9 g; A- Q
gds 7.941e-06 5.289e-06& J' ?2 r! \- \$ y
, b \% `( i* z$ a; M+ ~ s. z+ w3 x2 E算出後:, N- g* y3 K$ }5 ~/ B) @. a' W; ^7 P
λ 0.089 0.0617 G' P ?3 t/ e1 ^3 I, ~7 B. y
. O( d# O, }0 z5 C
! f9 D+ J0 r1 S1 `看有些論文寫說λ是工藝給定的3 ^0 Q' w! b0 f* c0 k
哪一些製程參數是固定的?還是都是非固定呢?# z% v y2 \2 P& w$ ^1 Y) s' C+ D
- h) n! c; D# ?
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發表於 2022-7-7 15:03:03
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