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樓主 |
發表於 2007-10-27 03:19:11
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只看該作者
其實以新人來說
4 q+ X/ c* `, Y8 Y6 q t' Z回答這類問題並不用太傷腦筋- _8 v" B2 S" V" \- D: U
主管是要看你了解這東西的程度2 o5 T. M. b; c6 T) M5 W
提供個答案供大家參考+ d* C1 b3 m/ |' [0 r
ESD 是靜電放電沒錯
$ r6 O% Y' }$ M- \; q$ `, o6 R不過可以提一下它有哪幾種發生的機制: x+ B0 L3 W1 ]& S: Z
ESD 共有三種機制需要測試
; c% v& s3 h: q分別為HBM(Human Body Mode)..MM(Machine Mode)...CDM(Charged Device Mode)
- J% f! X: D+ v預防對策則為...: p: b. P, n- i; j* u ^
power & ground pin 使用 power clamping, L$ @4 b( V- A) b
I/O pin 做 ESD protect device+ C8 B) E: S; Y! \5 G. ?
internorl circuit 有接到pad path 的mos....drain端做ESD rule放大6 M- c: }& u7 Z, v, n
% {; D" c6 N ?3 ~1 W- C! XLatch-up 可以用簡單的話來解釋
1 D. r5 a: y: p( a% b) u7 `power & ground path 寄生BJT形成SCR電路' U, [- v/ l$ U8 V+ d
經由電源擾動....產生大電流的拴鎖現象. C' |8 D6 P6 X- j: ^$ ~0 L9 g
造成pwer與ground的虛短路(可以畫一下寄生BJTs形成SCR的電路模型)' Q! o* O5 q' P
ESD討論版有篇關於latch-up的文章% C& u# D1 G e- P) ~: _8 c
可以view一下剖面圖跟等效電路圖
- R' t( L1 _- o: V由剖面圖跟等效電路圖就能推敲出
! ~, L+ p" M# P6 Y! Platch-up該怎預防7 j% Z' `3 L# w0 s% p& c% X* M
1.盡可能補上well-contact以及subtract-contact
/ O3 a2 P; X7 h( P2 N! J5 }: B' Y 其用意是為了降低Rw跟Rs的阻抗.
B u" `7 C' Z" k+ B4 h1 B2.靠近PAD區域的circuit,pmos與nmos之間的距離拉開# s# ]2 E$ p- Z+ {+ k% z. }
並且保持gurdring的完整.) B3 u, s; c) U A# f |4 O9 u
(p,nmos拉開由剖面圖可看出Q1base跟Q2 collector之間的阻抗會增加 )
" O& M! p; \$ i7 g% v, I3 V* J F! q4 l8 l, F+ a
若有解釋錯誤或是哪不夠詳細的& I+ | H4 B/ M( k3 [
歡迎大家一起討論 ^^: }/ ~2 V. ]% e) q' B9 h6 X+ n
" c: V' a, ?, G* x1 K7 A
PS: latch-up比較常發生在pad週遭....內部電路比較少發生
! Q8 {4 E) ]4 Q2 H! S& D0 w0 {% W 個人是認為...ESD發生時也有可能引起latch-up0 t q) ]" M( x: }* C
不知大夥的見解為何?! |
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