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樓主 |
發表於 2007-10-27 03:19:11
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其實以新人來說" F' r7 @0 ^& k; K2 Z8 d8 G
回答這類問題並不用太傷腦筋
7 i" L4 k# A. \主管是要看你了解這東西的程度
! b( |5 f4 r* ]6 B提供個答案供大家參考
; @5 x3 _6 g: L, W2 Q* ?. FESD 是靜電放電沒錯3 y( G, S/ ]2 h: C
不過可以提一下它有哪幾種發生的機制% c, x& b6 d4 [# D
ESD 共有三種機制需要測試4 L/ O* M3 I- o" L0 f4 Q+ X
分別為HBM(Human Body Mode)..MM(Machine Mode)...CDM(Charged Device Mode)
5 |6 ^# d( Y/ A ~0 X) O4 t預防對策則為...* |2 l, F A3 |) `) b
power & ground pin 使用 power clamping
8 ?+ i3 n6 R* Z' p$ m2 qI/O pin 做 ESD protect device
' V. H8 K! ~5 ]+ b# Linternorl circuit 有接到pad path 的mos....drain端做ESD rule放大
! d' C/ U% j6 A ]( v
9 G8 X' U6 U5 ?Latch-up 可以用簡單的話來解釋
+ r% D0 P8 V' w2 |power & ground path 寄生BJT形成SCR電路5 h7 ?8 a' i) k
經由電源擾動....產生大電流的拴鎖現象
& B# z3 r$ h( e2 a' I5 l" _造成pwer與ground的虛短路(可以畫一下寄生BJTs形成SCR的電路模型)
9 S( ^; u, k s' ]4 uESD討論版有篇關於latch-up的文章% O/ D) B$ Y' E' E
可以view一下剖面圖跟等效電路圖
$ k9 D/ v0 X' U' m% p由剖面圖跟等效電路圖就能推敲出
% ~& Y+ g' F$ G0 f5 X& a8 nlatch-up該怎預防
) @1 f ^0 b9 `; h2 H; j1.盡可能補上well-contact以及subtract-contact
( T4 }) x n7 k( I9 b4 w( N* ?" D 其用意是為了降低Rw跟Rs的阻抗.: Q' m( J% d) N$ c! u% P
2.靠近PAD區域的circuit,pmos與nmos之間的距離拉開
! R- h; f3 ~" U5 J" Q. ~1 x 並且保持gurdring的完整., H" f9 t) F' ^3 |/ a
(p,nmos拉開由剖面圖可看出Q1base跟Q2 collector之間的阻抗會增加 )* U- p1 ] G/ d, T3 H5 N7 J7 M3 l5 n
/ k, z' {9 a/ v1 c3 s若有解釋錯誤或是哪不夠詳細的
g/ C, T0 G; R( Z5 a, O歡迎大家一起討論 ^^
; m" q- k3 \. |. F. L2 L+ D& _0 o
! F4 O2 }: r3 [( P+ M/ b3 P& ePS: latch-up比較常發生在pad週遭....內部電路比較少發生
( t) h5 s) K6 ?5 ?/ l4 }% G$ c 個人是認為...ESD發生時也有可能引起latch-up$ \/ w) E% ?( k0 ~6 w( u! |. F) h" Z8 w
不知大夥的見解為何?! |
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