2/14 先進記憶體技術與產品應用—發展現況與未來技術研討會

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由於DRAM Memory之技術與產品應用(如Low voltage, high speed, high bandwidth等)進展極快，有許多機會與挑戰值得深入瞭解，有鑑於此，我們特別邀請在國際Memory產業界知名專家：沈武博士及國內相關業者專家於2月14日同針對先進記憶體、構裝與產品應用等議題作深入探討，歡迎相關人士或對此課程有興趣者報名參加！
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/ _5 |' ^- o6 O: M! G. K  U主 題：先進記憶體技術產品應用發展現況及3DIC整合機會
指導單位：經濟部工業局
( r7 D( N  |( J2 r7 F主辦單位：工研院資通所/電光所
時 間：100年2月14日(星期一) 9:30~12:30 (9:10開始報到)
0 v9 Y# U! M1 w' Q- \# [地 點：工研院中興院區51館2B會議室(新竹縣竹東鎮中興路四段195號)
: p3 F) F' |" @6 V! i講 師：沈武 博士, Principal Engineer, LSI Corporation, USA
◎ JC42.3B Letter Committee Vice Chair at JEDEC
◎ Sr. Application Marketing Manager, Product Definition and Innovations at Qimonda USA
◎ Application Marketing Manager at Infineon Technologies.
◎ Lead System Design Engineer at HAL Computer Systems

+ m5 J) g: `) y1 c$ [) |5 P議 程：
1 }$ A% I6 ^8 D: r; J5 o+ bDDR Memory (I)
●Highlight of DDR3
●Power Ramping, Reset
0 N! v" S5 C# A2 N3 R% T; |/ `! \●Address/Command line structure and fly-by; Read and Write leveling
" M  L6 s* w% l9 TDDR Memory (II)
, e) x& \( b6 \0 p: m9 C●Data Path ODT and Dynamic ODT Usage
. x$ L: P5 {7 K3 O●Challenges on DDR3 derivatives: lower voltage (DDR3L, 1.35V) and higher speed (DDR3E, 1866/2133Mbps)

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主 題：先進記憶體、構裝技術與產品應用—發展現況與未來
9 n- T1 ^3 \  Y5 s% v時 間：100年2月14日（星期一）13:30至16:00
主辦單位：工業技術研究院電子與光電研究所
協辦單位：先進微系統與構裝技術聯盟(AMPA)/先進堆疊系統與應用研發聯盟(Ad-STAC)
' [! m, E6 X) q8 d+ v! n) X4 Z講 師：(1) 邱棋濱 部經理/華邦；(2) 范文正 部經理/力成；(3) 楊松霖 處長/Kingston
7 E4 T4 @5 Q8 B- G& [6 k) ]# {議 程：

◎LPDDR roadmap & application
◎Advanced Memory Package
; I8 c' O/ d& u' B' h. J( b# d6 ^◎Advanced DIMM
, ^7 E+ Y1 `/ p% j3 S- S0 ~# \
( _* ^( \1 \- E: r4 ?. _報名費用：
上午場費用：免費（費用由經濟部工業局補助）。
下午場費用：一般學員每人新台幣1,000元。

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5 Z) L3 o  H4 V% N0 g參考網址一

http://e-pkg.itri.org.tw/memb/SeminarView.aspx?SeminarId=114