2012 奇景盃 初賽 問題詢問

as200112

各位先進，您好：

9 U$ T$ S. ^1 @5 S9 N' @$ q2 W不好意思，想請問一下，在 奇景盃 2012 初賽 試題中，有著 PMOS 電容，
. e3 `9 S8 ]/ Y: L+ n  M
在練習時，學長提醒要在這顆 PMOS 電容外，加上 Deep N well，

9 i' q6 Q7 Q! ~! |1 JMC       VDDA VTL VDDA VDDA  PH L=10U W=10U M=10

上述中，PMOS 電容 下極板為 VDDA，那為什麼還要加上 Deep N well ?
" v! f% p: P/ [; m6 |+ F' z1 H
" `( R: ?2 [2 \. a' y1 f是為了讓 PMOS 電容 的上下極板與 VDDA 的電位分開嗎 ?

麻煩大家了

KKboy

/ \& ~6 u2 N9 X+ x, W
as200112同學 您好，
8 {, B/ A  Y' x+ O% ^5 z- c好巧不巧我去年有比過此比賽，
" t1 i$ B9 x* l我想你沒看清楚電路及DesignRule裡面的定義。
  W5 [6 Q/ f* I此電路名稱為PVCVS，由於有三個區塊(MUX、MC、BIASB)，
(一)MUX(Power=VDDA、Gnd=VSSD)
9 }: }9 z' s2 x" _3 \0 \) k(二)BIASB(Power=VDDA、Gnd=VSSA)
) K5 z8 A) E& @) e9 ODNW是為了隔絕這兩個區塊GND部分，
8 i1 ?& S7 `$ s; L& h' H如果沒畫DNW，我想LVS應該不會過才對。
而當初我是用MC把MUX與BIASB隔開，
但只有BIASB有畫DNW，題目Psub電位為VSSD......
- l0 F$ r6 b# W$ ]% @. f, w$ [
0 R- m" P( i1 h. D8 Z: O( j3 @如果有錯請見諒
; b2 a) O- `) W  K& v. `7 k2 b# v希望對你有幫助，祝你今年能得名。