2012 奇景盃 初賽 問題詢問

as200112

各位先進，您好：

不好意思，想請問一下，在 奇景盃 2012 初賽 試題中，有著 PMOS 電容，
3 D9 v3 |/ f" {. K; n  ]8 ^% a
' K8 `" k# t6 Q7 L在練習時，學長提醒要在這顆 PMOS 電容外，加上 Deep N well，
0 p6 q" N9 c% r. n: R9 \5 W( l
3 k& }% I2 J9 ~MC       VDDA VTL VDDA VDDA  PH L=10U W=10U M=10
0 C( e8 f! r4 D/ P3 E
上述中，PMOS 電容 下極板為 VDDA，那為什麼還要加上 Deep N well ?

: m) B% z( X, j) R1 M是為了讓 PMOS 電容 的上下極板與 VDDA 的電位分開嗎 ?
- Z. s! }7 O  A. r
麻煩大家了

KKboy

as200112同學 您好，
好巧不巧我去年有比過此比賽，
我想你沒看清楚電路及DesignRule裡面的定義。
8 O" E+ V# |, ~) O  O此電路名稱為PVCVS，由於有三個區塊(MUX、MC、BIASB)，
(一)MUX(Power=VDDA、Gnd=VSSD)
" t3 \1 i2 s. L$ V1 U2 |(二)BIASB(Power=VDDA、Gnd=VSSA)
DNW是為了隔絕這兩個區塊GND部分，
如果沒畫DNW，我想LVS應該不會過才對。
而當初我是用MC把MUX與BIASB隔開，
但只有BIASB有畫DNW，題目Psub電位為VSSD......

如果有錯請見諒
希望對你有幫助，祝你今年能得名。