電容的比較

yhchang

※ 引述《angle的大作》發表於 【2002-12-13 17:52:47】

# M' }+ X( s# J3 C& x! q& }請問各位前輩:
! }9 j: E7 f8 H4 @. `             在IC LAYOUT 中,三明治電容和Metal1+Metal2所Lay成的電容,那個準確度比較高。為什麼?
             因為就我知道是三明治電容的準確度較好,但是我不知道它好在那裡?

yhchang

7 ~& |$ y) _  q  {2 U呵呵呵~
三明治指的是poly+metal1+metal2還是metal1+metal2+metal3或是...
6 N3 N$ x% E. }# `以"精準度"而言,當然是使用metal1+metal2會較好(若不能用double poly的話),
原因有很多:像是

(1)三層的邊際電容(雜散)比兩層多.
(2)三層的層與層之間的距離誤差多一個.
(3)poly與metal的材料原質不同,衍生的電荷與電場也會不同.
(4)用了poly當底層,對substrate的電容...嘿嘿嘿.
' @5 W$ x: N# {+ |# y(5)metal1+metal2可以拿poly來shielding.
- U- r1 V" X5 y! g7 X(6)三層,再加上poly,以相同的layout能力而言,造成的RC一定較高.

" ?1 F5 A% m: d/ z2 [不過metal1+metal2的單位電容值很小,對了,上面的第(4)點,
. ^  X0 `# W' k6 z" N7 }: h也可以用well來shielding,只要是lay被動元件,都要特別注意shielding,
6 F/ m: j/ u2 h+ O8 A8 Rwell是很好用的shielding layer; 如果想要大一點的電容,
建議是用poly+diffusion layer(與一般穩壓的MOS電容不同喔),
基本上也不會不準到那裡去.
# T" t+ S& H: W1 a

yhchang

Re : 電容的比較
9 J0 f$ B- Z8 F+ g2 e: O那想請問一下 MIM 電容的準確度如何?

yhchang

您指的是 metal-insulation(SiO2)-metal的電容嗎?
! z5 Q' e+ p. C2 s基本上這是最基本的雙層板電容,若layout的好的話,
電容值比較能掌握,目前的製程在metal的L,W及oxide的厚度上
/ X  _! ?# [) x* ^6 I都不錯了,也就是關係到電容值的變數其誤差都不會很大,
只要能注意到雜散電容的問題,我想是可以做的蠻準的.
& b0 z  x3 y! ]" b0 c1 w但再怎麼準,有個30%以上的誤差在你的設計上仍是必須是要可以接受的);
不過MIM的電容值每個square實在是很小,說實在的,不見的很實用~

[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-2-19 10:22 PM 編輯 ]