電容的比較

yhchang

※ 引述《angle的大作》發表於 【2002-12-13 17:52:47】
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請問各位前輩:
             在IC LAYOUT 中,三明治電容和Metal1+Metal2所Lay成的電容,那個準確度比較高。為什麼?
) z" @% w1 t- U) S0 l2 [             因為就我知道是三明治電容的準確度較好,但是我不知道它好在那裡?

yhchang

. f9 L% G9 C, S" j" E& d呵呵呵~
( n) m0 r9 J/ {0 M三明治指的是poly+metal1+metal2還是metal1+metal2+metal3或是...
; O' B' }$ t, z6 i0 D以"精準度"而言,當然是使用metal1+metal2會較好(若不能用double poly的話),
原因有很多:像是
+ F7 {6 y" M: R2 h  l
(1)三層的邊際電容(雜散)比兩層多.
(2)三層的層與層之間的距離誤差多一個.
5 n6 j' O1 W& @1 g6 N2 m  S- t(3)poly與metal的材料原質不同,衍生的電荷與電場也會不同.
(4)用了poly當底層,對substrate的電容...嘿嘿嘿.
) A& O! A! U5 E! x. R(5)metal1+metal2可以拿poly來shielding.
(6)三層,再加上poly,以相同的layout能力而言,造成的RC一定較高.
6 k- V* O0 Z$ K
3 D8 _& y9 u  v不過metal1+metal2的單位電容值很小,對了,上面的第(4)點,
6 a- b7 m6 S/ g+ `6 M也可以用well來shielding,只要是lay被動元件,都要特別注意shielding,
well是很好用的shielding layer; 如果想要大一點的電容,
0 K' p( H! ]7 c: y. ^建議是用poly+diffusion layer(與一般穩壓的MOS電容不同喔),
基本上也不會不準到那裡去.

/ T' L4 k5 ]( A

yhchang

Re : 電容的比較
那想請問一下 MIM 電容的準確度如何?

yhchang

您指的是 metal-insulation(SiO2)-metal的電容嗎?
: q9 I# d; Z. ~- B% O5 V基本上這是最基本的雙層板電容,若layout的好的話,
電容值比較能掌握,目前的製程在metal的L,W及oxide的厚度上
都不錯了,也就是關係到電容值的變數其誤差都不會很大,
只要能注意到雜散電容的問題,我想是可以做的蠻準的.
但再怎麼準,有個30%以上的誤差在你的設計上仍是必須是要可以接受的);
不過MIM的電容值每個square實在是很小,說實在的,不見的很實用~

[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-2-19 10:22 PM 編輯 ]