電容的比較

yhchang

※ 引述《angle的大作》發表於 【2002-12-13 17:52:47】
8 W% p$ t$ h1 X
" n3 O9 s" ~+ v) l: h7 r* I( Y# X: P請問各位前輩:
             在IC LAYOUT 中,三明治電容和Metal1+Metal2所Lay成的電容,那個準確度比較高。為什麼?
* |6 b# k( S0 v- A. T             因為就我知道是三明治電容的準確度較好,但是我不知道它好在那裡?

yhchang

呵呵呵~
三明治指的是poly+metal1+metal2還是metal1+metal2+metal3或是...
以"精準度"而言,當然是使用metal1+metal2會較好(若不能用double poly的話),
原因有很多:像是

8 Y- W% y0 G8 M: G5 O! B(1)三層的邊際電容(雜散)比兩層多.
) V! u/ n8 G9 W; ]( d: h(2)三層的層與層之間的距離誤差多一個.
* Y. b  p* z4 @* c(3)poly與metal的材料原質不同,衍生的電荷與電場也會不同.
(4)用了poly當底層,對substrate的電容...嘿嘿嘿.
" G* `  f9 J! H7 K' W(5)metal1+metal2可以拿poly來shielding.
(6)三層,再加上poly,以相同的layout能力而言,造成的RC一定較高.
, O* Y. v0 t/ Q
+ `: R3 [* D/ i. J; c不過metal1+metal2的單位電容值很小,對了,上面的第(4)點,
1 Y$ M1 E$ [4 P7 g2 ]2 l也可以用well來shielding,只要是lay被動元件,都要特別注意shielding,
: W0 ]4 G1 Q4 x1 S" jwell是很好用的shielding layer; 如果想要大一點的電容,
8 R: k4 C: J0 D% R$ C建議是用poly+diffusion layer(與一般穩壓的MOS電容不同喔),
基本上也不會不準到那裡去.
. G' v# B: S( G4 v

yhchang

Re : 電容的比較
那想請問一下 MIM 電容的準確度如何?

yhchang

您指的是 metal-insulation(SiO2)-metal的電容嗎?
: Q0 G- Y: n8 F& N  r) ~基本上這是最基本的雙層板電容,若layout的好的話,
電容值比較能掌握,目前的製程在metal的L,W及oxide的厚度上
1 y: x+ N1 b$ I6 N9 s6 Z; a& p都不錯了,也就是關係到電容值的變數其誤差都不會很大,
3 a3 N) O# G$ F7 I: b! K只要能注意到雜散電容的問題,我想是可以做的蠻準的.
但再怎麼準,有個30%以上的誤差在你的設計上仍是必須是要可以接受的);
. L9 h. e1 R. h9 ^- {不過MIM的電容值每個square實在是很小,說實在的,不見的很實用~

8 V$ U2 T4 `1 F5 |[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-2-19 10:22 PM 編輯 ]