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[問題求助] 高壓製程

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1#
發表於 2011-6-10 18:20:10 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問大大,我現在想學關於高壓製程Layout
7 v! H* O% E: w+ q那我對高壓製程的構造不是很了解,可以介紹網站或資料給我做參考參考嗎?
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2#
發表於 2011-8-10 21:37:19 | 只看該作者
感謝大大無私的分享啊
4 W. {  o  m. a, N/ S  t# j5 e' X2 Y  C2 H- a) j
感謝感謝~~~~~~~
3#
發表於 2011-9-1 10:46:44 | 只看該作者
咦!!~~~我只有看到問題9 |* g! @2 t, D0 v
有分享任何資訊嗎?!4 e: ]( s3 a$ A: c4 f' P9 ~& n! T
小女無材# Z, m( z, L" m& t2 V/ v
看不懂勒
4#
發表於 2011-12-7 17:10:01 | 只看該作者
我勒个去,同没看到材料,为毛会有人感谢大大。
5#
發表於 2011-12-21 15:03:52 | 只看該作者
我也是看不到耶....是因為權限還沒到嗎?
6#
發表於 2011-12-26 18:32:29 | 只看該作者
我也沒瞰傲任何的東瞎呀~太客怕了吧
1 A$ u1 `. L# U' W6 }# ?' k2 A
% u* k" @$ s- W% ~+ K* H這就是所謂的國王的答案嗎??XD
7#
發表於 2011-12-28 11:35:52 | 只看該作者
請問大大,我現在想學關於高壓製程Layout& a" {! j& x# L' }
那我對高壓製程的構造不是很了解,可以介紹網站或資料給我做參考 ...% j- e- S7 _$ B4 H% p6 Q
b0917353006cool 發表於 2011-6-10 06:20 PM

0 h( @6 D+ O, y8 t8 h- X: i$ Z
9 |) ~+ S. ?5 i1 u; j% ]個人淺見,分享下關於高壓製程和佈圖學習應驗
* |& C5 h7 y8 `) X7 m7 r1:首先理解目前我們HV製程的一個簡單劃分2 B& G( N4 H1 n% F* s4 d
   不同的廠家,會有不同的定義,在深亞微米中,可能5V VBRDS的Device已經被識別為高壓。- t) U+ e/ B/ T" G% l
   依據VBRDS/VGSmax大致可以作一個劃分4 k' c5 N/ P" x' r; e) N
    LV- E7 K6 ^% E: q- M, q: N2 [
    VbrDS<5V7 e5 ]# D0 k# G  Y4 @& x, D) E
      MV
7 M) Q: O4 k! H+ x/ ~* w; o( ^1 j     15V<VbrDS<25V4 ~8 @+ x# W1 R. o1 i' n
      HV
$ h6 T* l8 I' h4 o     30 <VbrDS<45V
( g* S! W9 e/ j6 s' Q. W     45<VbrDS<80V
* C/ d' f( a1 Y     UHV/ l2 i, Y; g8 h) X$ S; u. [) S+ L9 l
     80<VbrDS<120V
4 E1 t2 y) R; X2 v0 r( `; L     500V<VbrDS
: v4 q% i- d- h( {' ^$ `     800V<VbrDS  i$ W! O4 j- ]: H$ \4 R/ Z; [
     目前大致會做這樣幾個區間的劃分,這種狀況與製成本身的發展,產品系列兼容,甚至考慮兼容早期BIPOLAR用於電力,電機產品有一定關係。
1 K2 U5 {& T. o- ^& c8 H* f2 n; a+ u7 c( p/ @; T, W7 F, |
2:此後,可以按照自己學習興趣與工作需求,選取制定學習計劃+ N/ v4 J& \* {
   並理解器件的物理和電學特性( U3 n4 e  ^; I, `4 _% L  L
   這樣做是必須的,好處也很明顯。只有這樣才能避免犯錯誤,才能理解高壓規則的制訂依據或者限制級在那裏。0 W0 S& J' z# F1 C4 v4 l( Z5 m& Q8 C
   一些圖書是必須的,製程介紹類的圖書相信大家都不會缺少,特別強調下,在30V以上時,最好下功夫對LDMOS做細緻的學習。
' _4 l) S+ v' N% S2 \5 E   如果涉及到80V左右的應用,尤其需要謹慎,因爲在CMOS時代這個電壓區間是比較尷尬的,HVI可能會帶來leakage current的問題,一定要與廠家做好細緻溝通,並在Pre-tapout前作好Review。
- H& W4 q. U! e! q* f   500V之上的的單片集成應用必然會涉及到Resurf技術或者SOI的應用,這樣的製程會與普通的結隔離又較大的差異,HVI也會帶來影響。不過一般廠家都會給出一些解決方案,
: p% t+ w) O8 K   IR,摩托等等公司也產生了很多專利 ,讓人感嘆設計師的創造力之強 。4 B' _  U2 Z" x9 F0 l0 [
   理論的學習," j/ ^* b$ `& B+ ^
   推介使用陈星弼老先生的那本《功率mosfet與高壓集成電路》,這是一部相當老的圖書,出版于幾十年前,但是對基本結構,如場板,終端結構等等的介紹很清晰明瞭。4 H- X1 ^* g% m6 x7 q
   原書已經絕版,好在資料可以到網路上搜索到。" ^, n* e0 D$ H) D! W  Q: @
5 b3 V8 @! Z5 e* X+ w4 P! C
3:實踐
& ^9 [' c/ s# ?; `$ l   檢索了目前大多數的論文與報告,並不令人滿意。在這個工程領域,主要的技術應當是各個廠家。
* |7 H' F1 i& V; G$ e   UMC/TSMC年前都對這個領域作了開發,可能主要的目標是指向對新能源產品的支持,可以咨詢並下載相關文檔。其中給出了Refrence Rules和相應的guide line,這些規則大部分對其他產品設計依然有  p: ^% d6 X* Z' J1 `! n* n
   參考的作用。此外 X-FAB,AMIS在這個領域可以說是歐美洲區域領導者地位,結構也與台系有區別。尤其AMIS。不過好像已經被ON收購,可能會在合作中產生一定障礙。7 @" m, I0 A3 c8 |
   特別提一下新竹的EPISL,應當是臺灣較早投入這個領域的廠家之一,EPI是HVDevice的關鍵之一,或許是EPISL的最大優勢。當然,還有極低的價格。
$ {3 n- r( t5 F; O/ G( d+ f. s2 r/ M* u0 a. V
4:Reverse engineering3 U4 d# C" B' f9 J
    對於新的公司新的設計,是個可選,當然僅限與佈圖參考,如果完全依賴,那就驚險了。7 ?+ e7 i1 [8 H. `" M1 C8 ^
6 U) \% K, n( S3 l. c( \
淺見,歡迎拍塼!
8#
發表於 2012-2-28 15:27:12 | 只看該作者
楼上有爱,又学到东西啦!
9#
發表於 2012-3-1 19:50:34 | 只看該作者
感謝大大這樣熱情分享資訊,
10#
發表於 2012-4-13 12:25:16 | 只看該作者
大家都是不明真相的围观群众啊
11#
發表於 2012-4-13 14:41:19 | 只看該作者
回復 7# CHIP321
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