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請問大大,我現在想學關於高壓製程Layout2 ^* X3 ^3 H0 W& ~% w
那我對高壓製程的構造不是很了解,可以介紹網站或資料給我做參考 ...- h4 Y% L% a# a( Q; v( g
b0917353006cool 發表於 2011-6-10 06:20 PM ![]() ( b7 N+ H0 I1 ?& t7 Y$ `
% q5 G! `. j. u1 s0 \個人淺見,分享下關於高壓製程和佈圖學習應驗
# u! F% O. D& `5 ^1:首先理解目前我們HV製程的一個簡單劃分
* J* G" r/ P; Y5 A( g 不同的廠家,會有不同的定義,在深亞微米中,可能5V VBRDS的Device已經被識別為高壓。9 k' B( @; A, G+ I" i* _
依據VBRDS/VGSmax大致可以作一個劃分; h$ I2 R0 Y$ v2 Z. Z \6 s/ y+ w% m
LV/ O5 w5 ?2 c- F
VbrDS<5V
0 i2 p. n! H: R MV 9 s3 `+ I# r+ ?' r
15V<VbrDS<25V
& ]* k! a8 D; F8 k8 z5 B" f HV# l8 U; g7 W" b" O
30 <VbrDS<45V
8 F# F' z; R1 q9 l, W 45<VbrDS<80V: r j' u: r3 \5 [
UHV( F$ O- {) Z& U! y6 K v
80<VbrDS<120V( i3 N7 j# }4 y, L& S; L
500V<VbrDS
9 ^$ [7 D5 ^/ D) C 800V<VbrDS
: |) ~3 N4 ^- V+ K( g 目前大致會做這樣幾個區間的劃分,這種狀況與製成本身的發展,產品系列兼容,甚至考慮兼容早期BIPOLAR用於電力,電機產品有一定關係。
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- x) ^& D3 W. m9 i5 _2:此後,可以按照自己學習興趣與工作需求,選取制定學習計劃
2 g/ N0 F: k D 並理解器件的物理和電學特性
& Z6 E7 x c) W4 Z 這樣做是必須的,好處也很明顯。只有這樣才能避免犯錯誤,才能理解高壓規則的制訂依據或者限制級在那裏。
( C/ p- d2 ~8 i 一些圖書是必須的,製程介紹類的圖書相信大家都不會缺少,特別強調下,在30V以上時,最好下功夫對LDMOS做細緻的學習。
8 |* y% y# ?5 j! b% V, t 如果涉及到80V左右的應用,尤其需要謹慎,因爲在CMOS時代這個電壓區間是比較尷尬的,HVI可能會帶來leakage current的問題,一定要與廠家做好細緻溝通,並在Pre-tapout前作好Review。
c: r( w1 q1 f5 b$ l/ Y: k 500V之上的的單片集成應用必然會涉及到Resurf技術或者SOI的應用,這樣的製程會與普通的結隔離又較大的差異,HVI也會帶來影響。不過一般廠家都會給出一些解決方案,
5 G! ~- S& q9 k: S4 j, B IR,摩托等等公司也產生了很多專利 ,讓人感嘆設計師的創造力之強 。
, G/ n! `3 Q% w7 u k q 理論的學習,. w% b# A1 {$ P1 Y- l
推介使用陈星弼老先生的那本《功率mosfet與高壓集成電路》,這是一部相當老的圖書,出版于幾十年前,但是對基本結構,如場板,終端結構等等的介紹很清晰明瞭。
' ?9 E9 l. Q0 `. v2 j 原書已經絕版,好在資料可以到網路上搜索到。 R Y( ?4 a8 }, ]- n
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3:實踐* S+ `' I6 f( m# ]0 G
檢索了目前大多數的論文與報告,並不令人滿意。在這個工程領域,主要的技術應當是各個廠家。- ]* H6 u$ O: w3 I2 |
UMC/TSMC年前都對這個領域作了開發,可能主要的目標是指向對新能源產品的支持,可以咨詢並下載相關文檔。其中給出了Refrence Rules和相應的guide line,這些規則大部分對其他產品設計依然有1 H! t; K+ C; @2 c; R
參考的作用。此外 X-FAB,AMIS在這個領域可以說是歐美洲區域領導者地位,結構也與台系有區別。尤其AMIS。不過好像已經被ON收購,可能會在合作中產生一定障礙。- p9 _4 ~0 D$ @- g; K* Q
特別提一下新竹的EPISL,應當是臺灣較早投入這個領域的廠家之一,EPI是HVDevice的關鍵之一,或許是EPISL的最大優勢。當然,還有極低的價格。
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4:Reverse engineering
' o1 Y/ X+ g' S! w; m3 ~/ J- z 對於新的公司新的設計,是個可選,當然僅限與佈圖參考,如果完全依賴,那就驚險了。
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淺見,歡迎拍塼! |
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