mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？

lion小海

mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？麻烦大虾们解释下。。

lion小海

这上面人很少呀？没人发表下意见、、

andrewxj

http://bbs.innoing.com/thread-11820810-1-2.html   在本论坛有这方面的帖子,你可以看看去

lion小海

回復 3# andrewxj
8 R8 o: N! s# B2 y1 u

7 l( u0 Z8 F: W7 t5 _0 J    谢谢。。。

despair

熟悉ESD也是Layout的基礎。
4 K% f' r& u2 m/ P0 U* y
MOS承受ESD的一端必須要能承受ESD大電流的衝擊，所以承受端的R值就很重要
2 I) r1 [7 V' l5 Z( c這也是除了會有較大rule以及必須要覆蓋上sillicde block的原因

除了以上必要因素，部分foundry也會根據需也會在Drain再加入低濃度植入
讓耐受ESD的效果更好

這是認識ESD的基礎概念，其中還有很多必須要去深讀的
有機會大家可以多交流。