mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？

lion小海

mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？麻烦大虾们解释下。。

lion小海

这上面人很少呀？没人发表下意见、、

andrewxj

http://bbs.innoing.com/thread-11820810-1-2.html   在本论坛有这方面的帖子,你可以看看去

lion小海

回復 3# andrewxj

" T0 e2 ~  h+ |( Z
    谢谢。。。

despair

熟悉ESD也是Layout的基礎。
+ I* v& H+ h4 B9 R
/ K9 n- g: A1 f' ?MOS承受ESD的一端必須要能承受ESD大電流的衝擊，所以承受端的R值就很重要
這也是除了會有較大rule以及必須要覆蓋上sillicde block的原因
, h7 P, X5 q- O. Z- B4 l8 ~
; v% f8 V& c2 E" E( S除了以上必要因素，部分foundry也會根據需也會在Drain再加入低濃度植入
讓耐受ESD的效果更好

這是認識ESD的基礎概念，其中還有很多必須要去深讀的
有機會大家可以多交流。