關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?

* B2 ~# g2 ^8 n5 F8 U+ `, t* Q) Q參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
我們的place方案是：
* R/ {/ t. [6 S0 q9 t' @1: A B A B
   B A B A
這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
9 ~/ m" j( p4 j2: A B B A
3 e5 f0 x" p3 [9 y% q  n4 {   B A A B
對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
3: A A B B
   B B A A
對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻

大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?
1 p+ {! A0 \% l, Z2 R  i9 L$ }& G
[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?
3 Y' B; [* M$ \+ k6 D" ]
沒人知道嗎?
0 e1 H( ?! _. S8 T
沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
第三种分散性不如第二种。

8 }' H$ Y$ }$ v' Q7 V[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配
2 E! _5 V. V) r2 B% t. x
可是為什麼電流方向不一致@@?
. G3 K5 w, G; l7 q
然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
第二種較匹配

可是為什麼電流方向不一致@@?
7 o6 \: r7 w8 {6 ^
( i/ F5 [  r; t$ m; V. Y8 K% A% j9 B然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

0 R' e* g2 e: F& @, d3 Z
( `3 Y5 w. D, @# p4 R; f& [如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
/ J% e3 D" ?7 A* Y9 Y. t" I8 y9 P所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以
2 U! }2 h  X( z; B: {2 T4 r
主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿

# m- S; F& ~. K光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
- u) h3 a" P5 @5 T" o& {; i電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
3 j0 b+ l: Z1 j4 e0 Q8 o都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
/ G- i' [. z" q電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
* _9 w& J2 K( V( p! O. M都 ...

2 O- `6 x4 `& k; R
- z2 p9 g8 W2 F8 R
" _' w% }( `6 T* S/ q. d第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.

' @! r5 ?' s" ^; p, x. R我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

) _2 f; ^2 }  }4 C/ K3 B. c5 c8 u% Y



1 V8 u0 ~: u# l' G; R6 `# a                  
                 
請問STI效應具體指？

                                                               
                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
& l+ Y: t4 v9 O+ C0 K. l# ^# ]4 ^' p: {  AB     AB
        x
  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central
3 B. a( F* L6 Y' f7 v
如果不共用
4 x3 X; ~! q: u( K! R　A      B          A      B
        x        X         x
　B      A          B      A   
2 i( W1 d, }* T0 D0 v; v　　x1　　　　　x2
x1 屬於 common-central
0 j* @5 R, @  E$ N3 r# J# {x2 屬於 common-central
x1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊


* w1 N1 L. F# V9 @( n方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
; u3 Z/ B+ [9 H  q9 \4 d方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

6 z/ N/ ?( ~  F0 @# X( l
9 I- e# u6 _7 y/ ?8 `( ^7 s1 {    何解? RD不一定正確吧?