關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?
9 y& I' o+ T" ]- @/ h( r
" ~! p. o4 U$ b1 h, h$ T  s4 q參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
我們的place方案是：
7 z, ^; o: f5 |# Z  {- Y( `2 y  |1: A B A B
7 ~4 |6 z( h& j/ G' A0 D   B A B A
) G4 P6 A# G1 V這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
2: A B B A
   B A A B
對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
: Y% P, r! `3 g  j3: A A B B
1 D, H( `3 K- ]9 E+ X3 ^; D   B B A A
  u/ o. j# L3 I4 H4 C8 i$ }對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻

大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?
) [- x( ^! I( J( y
[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?
, P4 y" v! t' G3 I* n
( ~5 \. D0 k/ |- i沒人知道嗎?

沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
* ?: Z7 G% n2 T! c第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
+ I6 K$ y" S3 C6 C% j第三种分散性不如第二种。

0 a! c+ E- _: G  ~[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配

可是為什麼電流方向不一致@@?

* I' h& ?2 K2 ^  y, I7 X# [" k9 ~然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
. s, l: I4 r" {5 T3 k4 _7 g第二種較匹配

可是為什麼電流方向不一致@@?

然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

% r0 `7 C! E! b  ]
如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
$ T) [/ N' B8 ~, u1 V" m$ g所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以

主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿
9 X* ^; _2 B, X" N& }; Q7 G9 `6 M
: G9 K2 W+ W2 w8 Y光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
! Q! g9 k, q8 P6 U5 [! c0 X& \2 M% V都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
; M0 o5 B7 ~+ b7 c4 C8 c* @一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
6 O: Z* ^9 M* A/ r  n電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
都 ...

' h6 @4 h! X$ q, z$ p
0 c9 [; n) ?! M/ B  E: g4 @
第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.
8 @# V- }3 Q+ |/ o
我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
, C4 |. _& [  A% _) L/ H2 h9 m如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

8 u4 u3 ~! ?" N9 ^6 ^6 L+ v- F3 R5 M

1 H& P/ e8 {0 d* E4 c: E

! \) v/ r. h- s5 _* {                  
                 
1 i  G0 z! t; ^6 x: B$ m+ \請問STI效應具體指？
' N9 {! y! y6 h" r6 h- N
. n! a3 N" ~9 G( A/ {/ F- A                                                               
                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
  AB     AB
        x
  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central

如果不共用
3 D* V: D+ R/ i4 p　A      B          A      B
        x        X         x
　B      A          B      A   
3 b' h0 ]$ P- e, r　　x1　　　　　x2
x1 屬於 common-central
x2 屬於 common-central
. K$ S9 @  U  Mx1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
* U9 j2 P* N# E# ~% C% Q( }兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊

! A7 R" F2 L4 T0 T$ s
+ ?! P% B5 Q' m4 Y  h& `4 v; P7 z方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
8 `0 T: z/ H2 l6 \/ ^  |我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

    何解? RD不一定正確吧?