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[問題求助] 以.18製程下去劃~90奈米所出現的錯誤

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1#
發表於 2011-4-6 20:14:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 ziv0819 於 2011-4-6 08:19 PM 編輯 8 O0 R2 n+ C$ b2 A1 B

9 U" M: B4 \' x' r( d, P: T) M! Y7 m, Z" w
不知道有沒有大大可以幫我解決的!, k9 L0 k* q! z# O. h5 |" {
因為沒有製程說明書~* B8 y$ X; R; |1 ?5 a$ y, M$ _  S
而且之前畫.18都正常!
$ A* O$ R9 X/ O& z  D( K8 ~用同樣的方式加大元件距離還是出現了一堆錯誤!
6 y# Z% O0 b: p; {* m4 J: ^想請大大幫忙一下到底如何解除這些錯誤!
$ ]: d  g5 \& Q" Y謝謝大大了感恩!
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2#
發表於 2011-4-7 13:32:54 | 只看該作者
把錯誤訊息貼出來看看# |$ n! O1 f6 ^& w
才知係瞎密錯誤6 W) y' v) Y# t0 j
通常是 cont via 大小 不同
# v& h0 H( \: s大 metal 的 space 要比較大 等等
3#
發表於 2011-4-12 14:27:23 | 只看該作者
Layout時所需的工具:
7 {8 ]- A) H, T% J- [7 n# f- O1 z, E! m6 m- R$ z" r0 E7 F
1.layout tool
0 {+ H2 E' c; ^- X1 E! k  P0 t2.Design rule (跟process 有關)) u( u. {, m, V3 C, v+ Z- O" |6 C
3.technology file (跟layer 設定有關)
% R" y0 x! d  `+ x: H; Z4.LVS/DRC command file (跟layout 驗証有關); w% B. y6 P% a+ b; Q

) w+ {$ u$ D& v" W2 o狀況一:9 U3 p9 W4 x' m8 R0 u% M$ s  x
不知道你的問題是出在哪個部份,聽起來像是用process 0.18um的工具去畫0.09um的東西
0 \+ Z$ g  {& l, o+ F8 o3 f. s' }" ]. e  ?
因為你沒有你需要的90奈米的2. 跟 4. 項 所以無法去確定你畫出來的是否是你需要的size,因# ?4 B! n% u3 x1 S
$ ~+ A* C6 B6 \9 i/ n, Z) Z6 s
為驗証一定會錯誤。% m8 h% H! L2 k2 e2 P% a
+ X" |, }$ a* z4 ^' o7 l
狀況二:
2 D, d. h1 U: |7 n" l
, e/ A  N2 r6 ^8 C8 s! V如果你有第2跟第4項的工具,但是是用0.18um的第3項,就可能發生layer用錯的情況,因, W" W) e! k; {/ I  ]) z/ W7 i: \
7 f6 b! z4 g* a, G9 X9 h
為依據各家晶元廠的設計不同,所使用的第3項也不同,即使是同一家在不同的製程上layer
; {/ n! v6 D1 }' n, W2 C
- y* Z- |( s; P9 a5 E2 D1 E. p! N的訂義也會有所出入,此時你就要使用layer mapping file 來去做layer轉換,使你的
1 \7 x, c) {8 N6 T- s, t4 x4 y
6 q: k2 }3 p; ^* G" BLVS/DRC command file能夠去認到對應的層。
& y3 U4 P, g3 F0 d5 W
7 w7 P/ H5 @% m0 B, Y  oLayout 要正確,最好備齊所需的工具。
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