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[問題求助] 以.18製程下去劃~90奈米所出現的錯誤

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1#
發表於 2011-4-6 20:14:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 ziv0819 於 2011-4-6 08:19 PM 編輯
) I* ~; F- u  }" Z. N" z& E$ \; ~; }4 q) y) O5 ?8 x
/ W: M0 g6 g; L+ v; v
不知道有沒有大大可以幫我解決的!
: g4 A, d' x  Y" Z5 d3 {2 \1 X因為沒有製程說明書~
& y5 ~' {; E7 t$ g5 L而且之前畫.18都正常!, c" S/ {1 K$ Q% X* U7 \! m; L
用同樣的方式加大元件距離還是出現了一堆錯誤!
0 n' s; W$ z% w) m& ^% v想請大大幫忙一下到底如何解除這些錯誤!
& {$ l7 R7 l; _2 p3 m+ i謝謝大大了感恩!
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2#
發表於 2011-4-7 13:32:54 | 只看該作者
把錯誤訊息貼出來看看
5 z/ Z' ^/ ~$ m5 a才知係瞎密錯誤
" u, ?: Y: e( P& F通常是 cont via 大小 不同 6 z: c& c& @1 {7 v. g8 B& a4 B! N
大 metal 的 space 要比較大 等等
3#
發表於 2011-4-12 14:27:23 | 只看該作者
Layout時所需的工具:& I! O; ^2 u) T* X$ [

2 ]  f) o, @0 P( @- A1.layout tool) h/ ~, l6 h. T  S
2.Design rule (跟process 有關)
8 p8 t7 \! q& S% R/ y3.technology file (跟layer 設定有關)
# @6 C0 y9 `2 Q3 w( K7 X1 N0 y4.LVS/DRC command file (跟layout 驗証有關)) c. F4 p. m( Z
7 F& h, N: a: t, ?
狀況一:( x  C7 v1 Y, {. I$ O; `. Q' }
不知道你的問題是出在哪個部份,聽起來像是用process 0.18um的工具去畫0.09um的東西! Q# m. @& ~# X7 m3 Y- q7 Q, f
) [: p1 v9 {7 |" ?# U
因為你沒有你需要的90奈米的2. 跟 4. 項 所以無法去確定你畫出來的是否是你需要的size,因0 W- X! \3 J& D( l( m

) D+ z- `, c; s/ n; {為驗証一定會錯誤。
- W% w- @( W6 `$ d9 S9 a, b; g% ^+ B9 i9 m* @6 H& U
狀況二:$ y) x# t: o8 b" Y; q2 }! e9 `
/ p6 w$ e$ U  X/ L
如果你有第2跟第4項的工具,但是是用0.18um的第3項,就可能發生layer用錯的情況,因
$ x- |+ D  U, d! h& v2 M8 j1 w2 `, Y
為依據各家晶元廠的設計不同,所使用的第3項也不同,即使是同一家在不同的製程上layer- o  n4 ?  y- F4 y. s  c8 P

5 F' ^- k( H- h& `, S的訂義也會有所出入,此時你就要使用layer mapping file 來去做layer轉換,使你的
# p& t" z# X# g* Y4 a% P
$ s4 C& j5 z7 f4 nLVS/DRC command file能夠去認到對應的層。
/ b0 I6 z4 w/ j% t3 N/ g* y! P7 D" G( i. I0 J1 d& A1 d
Layout 要正確,最好備齊所需的工具。
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