如何處理這3個DRC error

ckboy0928

請問這3個DRC error大概是什麼意思?那該如何解決?謝謝
(1) LV device must be isolated by NBL combine with HVNW
LV_DEVICES NOT INSIDE NBLi

; N' V4 ?1 }6 j3 ]; ^- i# c3 y/ F(2) LV device must be pick up with HVPW and N+OD ring
LV_DEVICES NOT INSIDE NPODR_HOLE_NBL

(3) LV device must be surrounded by HVPW and P+OD ring
LV_DEVICES NOT INSIDE PPODR_HOLE

ONLYFLYSKY

試問，這是那家的製程規格，這真的不好懂

dendeicide

看上去感覺好像是，數位跟類比的一些錯誤，

# b5 \- S+ j; {! V. p  P如果沒錯的話，以小弟的猜測，
+ _- u+ ]+ e# k8 `4 T
你有可能把電路整個都是用類比的訊號，
! B# `+ O  `: M/ }5 _) _( A) P
$ E  T/ q/ D( g! l類比跟數位的訊號要分開。

yuany

不知道理解的对不对~~不过你可以试试
4 W7 C# c8 x0 F1 a9 X
! C" Z/ w! L6 X3 W! s& uLV_DEVICES外面加一个NW ring 再在外面加个Psub ring

yuany

不知道理解的对不对~~不过你可以试试

LV_DEVICES外面加一个NW ring 再在外面加个Psub ring

h2off0202

目前看你的DRC VIOLATION 應該是HV製程的VIOLATION
第一個應該是指 LV MOS 須放在NBL內(簡單就是用NBL做ISO)
另外2個要先了解你是哪種TYPE的DEVICE所發生的VIOLATION
4 d# u3 o5 {1 _0 o- I8 [- @4 T才有辦法了解原因為何
; p3 e9 \( }" ?
若是有誤解的地方還請多多包涵

linanhung

看起來這個technology 的 LV device 是被 HVPW 包圍，在由 NBL 由底部經由 HVNW SINKER  Isolation 而成。
檢查violate 的地方是不是沒有被這幾個layer所包住。