如何處理這3個DRC error

ckboy0928

請問這3個DRC error大概是什麼意思?那該如何解決?謝謝
(1) LV device must be isolated by NBL combine with HVNW
LV_DEVICES NOT INSIDE NBLi

(2) LV device must be pick up with HVPW and N+OD ring
) d, T* _# K% S/ h; ^LV_DEVICES NOT INSIDE NPODR_HOLE_NBL
' h. q. T0 O6 k5 ~+ B0 _4 S
(3) LV device must be surrounded by HVPW and P+OD ring
' o) Y& j! n" E* ULV_DEVICES NOT INSIDE PPODR_HOLE

ONLYFLYSKY

試問，這是那家的製程規格，這真的不好懂

dendeicide

看上去感覺好像是，數位跟類比的一些錯誤，
3 G5 g% q: D( ~/ z  e3 _
7 m- Z( E- C$ l, W% V  x如果沒錯的話，以小弟的猜測，

9 k! K  g5 w4 S  J) R你有可能把電路整個都是用類比的訊號，
& V' }4 w7 l/ h, O, h
1 ?* M' u' ]  \0 P類比跟數位的訊號要分開。

yuany

不知道理解的对不对~~不过你可以试试

LV_DEVICES外面加一个NW ring 再在外面加个Psub ring

yuany

不知道理解的对不对~~不过你可以试试

3 r8 I1 R+ G! m0 H( `$ ?LV_DEVICES外面加一个NW ring 再在外面加个Psub ring

h2off0202

目前看你的DRC VIOLATION 應該是HV製程的VIOLATION
* x8 G  U! i& r; ?4 i第一個應該是指 LV MOS 須放在NBL內(簡單就是用NBL做ISO)
另外2個要先了解你是哪種TYPE的DEVICE所發生的VIOLATION
7 i& a/ g9 ]5 d* {, _1 d6 N# a1 z# I才有辦法了解原因為何
# p, w+ }. w3 L1 M# Q; \' `  b8 H
若是有誤解的地方還請多多包涵

linanhung

看起來這個technology 的 LV device 是被 HVPW 包圍，在由 NBL 由底部經由 HVNW SINKER  Isolation 而成。
& s7 ?" U. q7 C+ O檢查violate 的地方是不是沒有被這幾個layer所包住。