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[問題求助] TSMC 0.35um製程,Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V LAYOUT 如果要畫電容應該要怎麼畫呢

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1#
發表於 2010-6-29 16:29:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大您好,小棣想要請問TSMC 0.35um製程,Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V 如果要畫電容應該要怎麼畫呢,因為我打電話過去問CIC的人員,他們要我去上暑期的訓練課程,可是現在我沒有辦法去,因為我快要畢業了,所以想要再這裡請問一些有經驗的大大,請問LAYOUT 電容應該要怎麼畫呢
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2#
發表於 2010-6-30 12:48:33 | 只看該作者
TSMC 0.35um  Design Rule里没有写的吗?- w- F; y7 r" k6 |) O, y- K
有好多种cap啊# D, y9 i) \# O# f  O
pip 两层poly作两极板
5 q# a0 w4 e$ zMOS cap  就是PMOS&NMOS管
8 i7 A, ]- i! t8 t4 v1 w$ j9 wMIM cap 就是相邻两层matel 作为两极板
1 c0 T' ]; [$ t+ \4 }" gNwell cap  nwell上面加层Pdiff * U, y, Y9 t, W7 q+ N
等等...
3#
 樓主| 發表於 2010-7-1 15:10:04 | 只看該作者
可是他寫的不詳細,只有說可以用什麼來用,可是我不知道電容詳細的layout過程及步驟應該要怎樣
4#
發表於 2010-7-10 14:12:19 | 只看該作者
0.35里最好使用PIP电容,就是由poly1和ploy2构成平板电容,重叠的部分就是电容,非交叠的部分用金属引出即可。
5#
發表於 2010-7-12 14:43:32 | 只看該作者
先畫  POLY1     Y um X Y um
6 |) ^  {) _' X$ Q; s6 t" h在畫 POLY2      Z um X Zum
9 |4 A- M4 M$ N2 u' j通常  下層版 較大  RULE 會有. i# C+ }5 L: i% }/ l
做一個 POLY1  CO ME1 的 CELL  連接  POLY1
# g2 l5 ^% N; ~. \做一個 POLY2 CO ME1 的 CELL  連接  POLY2
' t) ]; R6 U: x. U2 R5 B5 O4 PX & Y 重疊的地方就是 電容大小
6#
發表於 2010-7-26 12:18:06 | 只看該作者
現在有PDK的功能呀~/ @) S- a" F) }5 s8 P3 n, m. P( j
你可以去看看你是否有申請~; ^, F% U. d8 z
這個功能可以讓你畫LAYOUT速度變快很多
7#
發表於 2010-11-6 23:44:58 | 只看該作者
先去cic下載pdk吧~~~! d# u. p2 g4 v- V
由於我是用laker畫的,所以我以前是先用virtuso去開然後在轉到laker上的...# g" t" e8 O/ u) v) }
但是聽說pdk也是可以在laker上開啟,可能要在問問其它前輩了吧...
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