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[問題求助] TSMC 0.35um製程,Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V LAYOUT 如果要畫電容應該要怎麼畫呢

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1#
發表於 2010-6-29 16:29:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大您好,小棣想要請問TSMC 0.35um製程,Mixed-signal 2P4M polycide 3.3/5V 如果要畫電容應該要怎麼畫呢,因為我打電話過去問CIC的人員,他們要我去上暑期的訓練課程,可是現在我沒有辦法去,因為我快要畢業了,所以想要再這裡請問一些有經驗的大大,請問LAYOUT 電容應該要怎麼畫呢
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2#
發表於 2010-6-30 12:48:33 | 只看該作者
TSMC 0.35um  Design Rule里没有写的吗?
: f' ~3 t% [+ P/ S/ m2 m有好多种cap啊
! M9 C3 v0 o/ c$ f* U. ^9 Npip 两层poly作两极板
4 U9 L) r# Z# e/ y$ T& c! [MOS cap  就是PMOS&NMOS管- b% J  _% [  ?  \" G9 n7 G1 p
MIM cap 就是相邻两层matel 作为两极板
, ], t" J" g/ J; m, W( P4 |4 w* KNwell cap  nwell上面加层Pdiff " g1 w) N$ C4 w. v
等等...
3#
 樓主| 發表於 2010-7-1 15:10:04 | 只看該作者
可是他寫的不詳細,只有說可以用什麼來用,可是我不知道電容詳細的layout過程及步驟應該要怎樣
4#
發表於 2010-7-10 14:12:19 | 只看該作者
0.35里最好使用PIP电容,就是由poly1和ploy2构成平板电容,重叠的部分就是电容,非交叠的部分用金属引出即可。
5#
發表於 2010-7-12 14:43:32 | 只看該作者
先畫  POLY1     Y um X Y um   G# x" ?* w6 p) F+ P
在畫 POLY2      Z um X Zum * ~/ Q! A: e2 U$ D
通常  下層版 較大  RULE 會有2 ?/ B) K- y6 \8 m) y1 d* P0 d
做一個 POLY1  CO ME1 的 CELL  連接  POLY1! T( U( d: H. M: o8 L9 K9 F
做一個 POLY2 CO ME1 的 CELL  連接  POLY2
& U) k6 ?. b* b2 t/ Z. y' {& XX & Y 重疊的地方就是 電容大小
6#
發表於 2010-7-26 12:18:06 | 只看該作者
現在有PDK的功能呀~/ j7 i) s7 m7 ]* e$ H5 `& L
你可以去看看你是否有申請~
- P+ u9 i/ B! m! E; x這個功能可以讓你畫LAYOUT速度變快很多
7#
發表於 2010-11-6 23:44:58 | 只看該作者
先去cic下載pdk吧~~~+ A) h( H  _9 t' P9 d) Z
由於我是用laker畫的,所以我以前是先用virtuso去開然後在轉到laker上的...
: {+ D% ~7 B2 J, K* g) h但是聽說pdk也是可以在laker上開啟,可能要在問問其它前輩了吧...
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