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[問題求助] 請教如何解決DRC的AMS.1.M1、M2、M3、M4、的錯誤

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1#
發表於 2010-6-6 00:13:23 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟LAYOUT完電路後,有碰到密度問題,後來也補上各個METAL密度後,DRC後密度已經解決了.... S+ V6 M7 X! K8 P0 \! ~: i
但是又出現AMS.1.M1、M2、M3、M4、這些錯誤,我用的I/O PAD不是TSMC 提供的I/O PAD..., ]3 D! L; H$ Q) G
想請問各位大大如何DRC這個錯誤!!
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2#
發表於 2010-6-10 14:27:46 | 只看該作者
把AMS.1.M1、M2、M3、M4、error 描速清楚一些
/ U) ]( f7 E$ N: X. G才能知道 如何解 , 不是TSMC 提供的 這無妨
' f+ o" ?& A" a( ~PAD CELL 粉多時候是經驗直
3#
發表於 2010-6-10 17:58:10 | 只看該作者
請把rules的描述詳細說明,可能的話也把圖示PO上來。
4#
 樓主| 發表於 2010-6-11 14:50:59 | 只看該作者
回復 3# m851055 ! T( g0 l3 y% y, Z; k
不好意思...我DRC錯誤的圖如下...8 n! I' c# K% _& q" [( v- I; b5 S
希望有人可以給我意見指導!! 謝謝!!
. B: G# p% R: p; ~0 c5 y. u, b* d. V+ K
   

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5#
發表於 2010-6-11 19:25:17 | 只看該作者
就把大於35um的Metal做個slots就好了,要不就是用多條小於35um的metal畫。
6#
 樓主| 發表於 2010-6-13 01:22:15 | 只看該作者
回復 5# m851055 3 ^4 K0 X; H# K: o) T/ c
! N8 ]& t2 D' d8 [6 C+ N; u
多謝大大的指導和意見...你說的slots我不太懂...
- X1 F' E( X( a( w" z可否解釋一下...不好意思!!
7#
發表於 2010-6-13 07:36:46 | 只看該作者
回復 6# answerbyme
5 h( s/ b7 A3 Q6 V
) W( k; G! C( Q# |( V5 s0 L$ s9 ?4 {& x3 X4 K0 s1 j8 W5 H( t7 @
   大於35um 的metal在中心處挖掉metal,一般DRC paper尚有可參考圖示
8#
發表於 2010-6-14 14:46:42 | 只看該作者
slots  就是開個凹槽 通常 2X15 或是 2X10
' E0 q7 v  }$ x: M如果是在 PAD OPEN之下  rule 會避開: N: y  I4 ~9 Q% I5 L: o$ I
如果是在 PAD CELL 配合一個製程工程師! n" u1 L9 ~& |! G
看看  有時候可以忽略
9#
發表於 2010-6-15 14:24:28 | 只看該作者
如果是因為你為了補metal density而造成的勸你再重畫." ^  H2 F" z$ h$ @4 ?: q5 T
可以試著捕metal方塊: w=2 l=10 spacing:2um.
10#
 樓主| 發表於 2010-6-15 16:04:08 | 只看該作者
回復 9# ponyshih
) q( r4 ?0 |% M/ p; D5 M. u5 b- t! b0 r1 t/ I* ~
謝謝各位大大的意見和指導...讓我受益良多..
1 W! g& y8 ]0 A" B/ X9 I. o小弟已經了解了!!大家一起努力囉!!
11#
發表於 2010-6-30 11:06:13 | 只看該作者
關於挖slot的問題,可以參考http://www.armbell.com/forum/vie ... mp;mforum=iclayout.' ?% @( ^4 S9 N7 Z
在這次project中幫我省了不少時間,不敢藏私,與大家分享!!
12#
發表於 2010-7-1 11:53:57 | 只看該作者
理解slot 最好的方法是看Design Rule!
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