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[問題求助] 請教如何解決DRC的AMS.1.M1、M2、M3、M4、的錯誤

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1#
發表於 2010-6-6 00:13:23 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟LAYOUT完電路後,有碰到密度問題,後來也補上各個METAL密度後,DRC後密度已經解決了...
; m, a+ c! A2 M# b" r) Y但是又出現AMS.1.M1、M2、M3、M4、這些錯誤,我用的I/O PAD不是TSMC 提供的I/O PAD...2 G) w" C6 B% G+ w! Z
想請問各位大大如何DRC這個錯誤!!
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2#
發表於 2010-6-10 14:27:46 | 只看該作者
把AMS.1.M1、M2、M3、M4、error 描速清楚一些
+ v) V3 c5 b  j0 P才能知道 如何解 , 不是TSMC 提供的 這無妨+ o( ^. w; I" _8 V8 W
PAD CELL 粉多時候是經驗直
3#
發表於 2010-6-10 17:58:10 | 只看該作者
請把rules的描述詳細說明,可能的話也把圖示PO上來。
4#
 樓主| 發表於 2010-6-11 14:50:59 | 只看該作者
回復 3# m851055
: F5 p- m) f" k, R/ h9 c/ F不好意思...我DRC錯誤的圖如下...) E$ d$ a; }/ S; W
希望有人可以給我意見指導!! 謝謝!!
4 L! Q3 G* e$ Y2 Y* g1 u
1 Z! E2 p# O  `) j4 k; }6 V   

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x
5#
發表於 2010-6-11 19:25:17 | 只看該作者
就把大於35um的Metal做個slots就好了,要不就是用多條小於35um的metal畫。
6#
 樓主| 發表於 2010-6-13 01:22:15 | 只看該作者
回復 5# m851055
; f3 [( t* i0 j1 C4 I+ l, h2 H9 y+ E' r# l/ r) e" i1 X7 r! D/ |/ K
多謝大大的指導和意見...你說的slots我不太懂...
% R7 |9 k5 \0 e6 ^/ D. o可否解釋一下...不好意思!!
7#
發表於 2010-6-13 07:36:46 | 只看該作者
回復 6# answerbyme # L  G  v9 P; v* x

0 \: E; Y3 o1 w2 M# e' m: D4 o& A& _" \7 o8 H' Y, Y4 K
   大於35um 的metal在中心處挖掉metal,一般DRC paper尚有可參考圖示
8#
發表於 2010-6-14 14:46:42 | 只看該作者
slots  就是開個凹槽 通常 2X15 或是 2X10 % U0 a$ n! B; u
如果是在 PAD OPEN之下  rule 會避開  w" l, S: Y% n+ F- y' X2 [- ]2 K
如果是在 PAD CELL 配合一個製程工程師( H- V7 `! a9 ^  q( \
看看  有時候可以忽略
9#
發表於 2010-6-15 14:24:28 | 只看該作者
如果是因為你為了補metal density而造成的勸你再重畫.$ P3 R& I, P, |
可以試著捕metal方塊: w=2 l=10 spacing:2um.
10#
 樓主| 發表於 2010-6-15 16:04:08 | 只看該作者
回復 9# ponyshih
7 U1 W7 H5 c  c- g( A
8 R2 c6 q. t/ g謝謝各位大大的意見和指導...讓我受益良多..: Y, n9 j# l0 n8 X/ t6 z2 `
小弟已經了解了!!大家一起努力囉!!
11#
發表於 2010-6-30 11:06:13 | 只看該作者
關於挖slot的問題,可以參考http://www.armbell.com/forum/vie ... mp;mforum=iclayout.2 w/ K* a7 o0 u
在這次project中幫我省了不少時間,不敢藏私,與大家分享!!
12#
發表於 2010-7-1 11:53:57 | 只看該作者
理解slot 最好的方法是看Design Rule!
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