請問附件圖片layout圖

gwuel888

請問各位,以下有些問題須大家幫忙
4 S* k7 G4 M' W1 [. Y1.有人知道附件圖片layout圖,是MOS還是BJT? 或是另一種元件?
2.若是1P2M製程其電容用材料佈局,以前都是兩層POLY畫的,但現在想知道此製程畫法
  d/ t9 W4 c- h$ A. |+ d6 r$ d3.MOS電容LAYOUT有參考書籍或是建議以供參考嗎?


; }' Q" ]  R  Q4 D 謝謝@@

小包

長得有點像 lateral pnp的BJT，它只有2顆嗎??
1P2M只能用一般MOS當電容吧~
MOS當電容只要把S/D/B接到一起接VDD或GND就好了~
6 l  Z1 N" i7 _' Q# }
[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-3 11:00 PM 編輯 ]

motofatfat

2.若是1P2M製程其電容用材料佈局,以前都是兩層POLY畫的,但現在想知道此製程畫法
+ P7 @  F7 b# H  q( M7 X: B既然是  1 P 2 M  哪來  兩層POLY ?
3 j$ @' R1 I  E. E4 f光憑這樣 粉難看出來
* ?2 G' C! o! {, \2 ~也有可能是  2 層   Metal  MIM ㄉ  電容
0 n) g' z! r3 W  Q+ h# n0 |# P/ R; `' u可以說明一下  這張圖是 Metal 層  還是  去掉 一層 METAL  以後ㄉ 圖

gwuel888

附件一層METAL 1+ POLY 與只有 POLY 圖片

gwuel888

因為之前我嘗試有畫過電容,但到了LVS 時就有不知道要如何做?
請問一下
) l1 N& X/ ^9 [9 Y7 A1.那mos電容SPICE 語法如何下
5 v7 T$ y8 J5 s; v是==> MCAP  VDD!  NET2  VDD!  VDD!  PCH  W=2u l=1u
2.容值如何知道??

kazamigai

看來像是顆mos，中間一顆cont應該是D端
外面一排（5顆）cont應該是S端
& j' D) }2 J1 F3 z' v: W) \# t
( Y) R" S4 y5 m# r應該不是mos電容，看m1跑法並沒有把s與d接在一起

小包

回復 4# gwuel888

一般mos電容的語法跟普通mos的寫法一樣，容值要請rd去根據製程推算。
* e  D1 J2 P! x. F看到你po的metal1的圖，這個東西上面有4個接點，我想他真的是lateral pnp的BJT，因為這種架構的bjt是高壓製程的bjt，emitter跟base是同一塊od，中間圍上一圈poly來控製emitter跟base的關係，最外面的od才是collector

小包

回復 7# 小包
& y; u+ v8 i2 I, p. `4 j' i+ \
+ \1 R. R5 D  ?
2 S3 z7 m2 v7 w! [7 }# h不過這種bjt現在很少人用了~有些原本有做的fab廠後來也都不提供這種元件了

kazamigai

但我覺得不太像是BJT，因為所附上的圖有用到poly，在我的記憶中似乎沒有BJT有用到poly

gwuel888

1.感謝各位抽空答覆!!
& X5 M/ ?7 S& x; s& c7 o. k/ V2.此製程1P2M 0.6um
! c# i9 R  ~/ g  I: p8 Y3.附件是電容畫法結構，小弟才疏學淺 想問說此電容會是mos電容嗎?

小包

回復 9# kazamigai
, K! B+ b1 Y9 M# I) |, G4 i
確實有這種bjt
只是你沒有碰過
它叫做lateral架構pnp的BJT
; g) s4 |# X# S4 y1 |5 Z為高壓製程，非常少人使用
; k6 \" D: O0 j1 U  a* I7 u- E我也只lay過一次
有本書上有介紹這種元件
"analysis and design of analog integrated circuits"
! K- s5 O1 p* [" q" ?$ XISBN: 0-471-37752-x
1 U7 \7 Z6 V4 e7 opage 109
你去看就知道我說的東西了

小包

回復 10# gwuel888

$ e! e" Q: \9 I+ d! G
* q/ }' Z' |- q# }- ]& z0 N你po的圖不是mos電容吧~~
" F9 |6 d2 n, |9 R! z看起來比較像是PIP電容…所以他不是1P2M吧
因為MOS電容長得跟普通MOS一樣
5 z1 Z1 C  k5 m+ g/ O只是SOURCE/DRAIN/BULK 接POWER
GATE接訊號線

kazamigai

按照給的圖形來看，應該類似於此圖。
中間cont為Drain，外圈一排cont為Source，
0 S7 q6 r# Y1 N. n) o! H( D* |在poly上的cont為gate，會用此劃法的情況下是想在有限的面積裡，求得最大的w值
" A+ i4 _8 |6 V' f% Z% F這是小弟的經驗談（因為有畫過像此的劃法）

kazamigai

附上圖片
  H6 R' g* t1 M( k' Y  N

小包

回復 14# kazamigai

' T& u6 D/ z" m5 b- o4 d' J* E+ S有道理~
2 u7 ?& C: O7 A  t+ x, d+ Z我也lay過類似的mos
% @- y, M) W1 U+ O雖然長得不太像~
/ X/ z6 T# B; K也是一樣用poly繞drain一圈

CHIP321

同意kazamigai的看法，做MOS解釋要好些，如果能確認是1P2M的標準MOS製程，那么應當確認無疑了。

pkf690801

thanks..............................................

shangyi

雖然我沒畫過...但還是發表一些淺見
中間那圈有接contact的應該是thin oxide
外面跟它相同顏色的應該是thick oxide
有點粉紅色的應該是difusion
內圈應該是drain 因為周長最小 雜散電容最小
外圈應該是source
. y6 ^) Z1 B& }9 o) i( R此種mos layout 雖然在相同面積下會有比較大的 W/L ratio
2 h6 x; h4 ~( H3 @" K但ratio值難以估算 所以比較不精準
8 g" y, K( d9 g  G- U. B" q' I比較不適用於要求精準的類比電路