請問附件圖片layout圖

gwuel888

請問各位,以下有些問題須大家幫忙
1.有人知道附件圖片layout圖,是MOS還是BJT? 或是另一種元件?
- G- w8 D2 v. B8 K, k2 `2.若是1P2M製程其電容用材料佈局,以前都是兩層POLY畫的,但現在想知道此製程畫法
3.MOS電容LAYOUT有參考書籍或是建議以供參考嗎?
; D2 {' O5 _  C' I9 B
+ T) F" Z: B# d3 v
謝謝@@

小包

長得有點像 lateral pnp的BJT，它只有2顆嗎??
  i4 Q+ J! N0 z6 D1P2M只能用一般MOS當電容吧~
MOS當電容只要把S/D/B接到一起接VDD或GND就好了~

[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-3 11:00 PM 編輯 ]

motofatfat

2.若是1P2M製程其電容用材料佈局,以前都是兩層POLY畫的,但現在想知道此製程畫法
既然是  1 P 2 M  哪來  兩層POLY ?
+ ?* Z, g) a1 d3 o, L8 T: B光憑這樣 粉難看出來
) A* o- v3 z% K  M( i# E' w也有可能是  2 層   Metal  MIM ㄉ  電容
可以說明一下  這張圖是 Metal 層  還是  去掉 一層 METAL  以後ㄉ 圖

gwuel888

附件一層METAL 1+ POLY 與只有 POLY 圖片

gwuel888

因為之前我嘗試有畫過電容,但到了LVS 時就有不知道要如何做?
請問一下
1.那mos電容SPICE 語法如何下
是==> MCAP  VDD!  NET2  VDD!  VDD!  PCH  W=2u l=1u
7 M* @  w- z. T" a2 g+ H2.容值如何知道??

kazamigai

看來像是顆mos，中間一顆cont應該是D端
) u+ J4 y# `% M0 K0 J  B$ a/ e外面一排（5顆）cont應該是S端
6 p1 N! O" M+ Q6 i6 T6 r& h
應該不是mos電容，看m1跑法並沒有把s與d接在一起

小包

回復 4# gwuel888
$ h( K/ \. h: ?
2 s( u$ J' M9 G/ d: C9 g8 S0 u一般mos電容的語法跟普通mos的寫法一樣，容值要請rd去根據製程推算。
看到你po的metal1的圖，這個東西上面有4個接點，我想他真的是lateral pnp的BJT，因為這種架構的bjt是高壓製程的bjt，emitter跟base是同一塊od，中間圍上一圈poly來控製emitter跟base的關係，最外面的od才是collector

小包

回復 7# 小包

2 c3 ?1 N  _$ z! j* o. c
不過這種bjt現在很少人用了~有些原本有做的fab廠後來也都不提供這種元件了

kazamigai

但我覺得不太像是BJT，因為所附上的圖有用到poly，在我的記憶中似乎沒有BJT有用到poly

gwuel888

1.感謝各位抽空答覆!!
# g  r9 F, k- y; n2 y  M( q2.此製程1P2M 0.6um
4 W  b4 {6 Q+ o& b. G7 a& X3.附件是電容畫法結構，小弟才疏學淺 想問說此電容會是mos電容嗎?

小包

回復 9# kazamigai

確實有這種bjt
6 G4 r+ w( I: i* n$ Z' ^" [只是你沒有碰過
它叫做lateral架構pnp的BJT
4 L) c9 l$ `5 [為高壓製程，非常少人使用
( ~2 C  ]  A& w6 ~8 U我也只lay過一次
有本書上有介紹這種元件
"analysis and design of analog integrated circuits"
9 t. J6 j$ ~) h, HISBN: 0-471-37752-x
page 109
/ w) P1 ?% T$ J. _: Z% z/ I你去看就知道我說的東西了

小包

回復 10# gwuel888
* b  O' x  ]+ ]& z' [- t
: f8 H* X! L7 @2 f- y9 K
你po的圖不是mos電容吧~~
看起來比較像是PIP電容…所以他不是1P2M吧
因為MOS電容長得跟普通MOS一樣
只是SOURCE/DRAIN/BULK 接POWER
( d& D' n( p9 q* b4 U- \GATE接訊號線

kazamigai

按照給的圖形來看，應該類似於此圖。
8 ~5 Z9 Y2 Q$ Z' n& C/ n中間cont為Drain，外圈一排cont為Source，
, L1 p5 G7 p5 Y- t9 a4 L在poly上的cont為gate，會用此劃法的情況下是想在有限的面積裡，求得最大的w值
$ L, |' s# n! O3 k/ X/ R0 U4 a% ~這是小弟的經驗談（因為有畫過像此的劃法）

kazamigai

附上圖片
: K9 y. H' X4 V4 j! g: D

小包

回復 14# kazamigai
# S) T/ W+ T4 [
有道理~
- l$ {8 L  e* i+ L0 Z我也lay過類似的mos
- j0 e5 o" e  W  e2 M雖然長得不太像~
7 V7 A( s/ ?6 ^+ D也是一樣用poly繞drain一圈

CHIP321

同意kazamigai的看法，做MOS解釋要好些，如果能確認是1P2M的標準MOS製程，那么應當確認無疑了。

pkf690801

thanks..............................................

shangyi

雖然我沒畫過...但還是發表一些淺見
中間那圈有接contact的應該是thin oxide
! g( K% V* L2 \' q' P5 M! l外面跟它相同顏色的應該是thick oxide
有點粉紅色的應該是difusion
內圈應該是drain 因為周長最小 雜散電容最小
0 o9 u# }6 W3 r7 u' ?1 Q) ?外圈應該是source
此種mos layout 雖然在相同面積下會有比較大的 W/L ratio
但ratio值難以估算 所以比較不精準
比較不適用於要求精準的類比電路