laser trimming layout应该注意哪些

jian1712

最近有个项目要用laser trimming,请问各位前辈，laser trimming的layout需要注意什么，先谢谢了。

小包

使用laser trimming，要看你是給哪家做的，跟他們要rule，照著lay就好了~另外如果fab廠也有提供相關的rule也要follow。
6 i7 V: F( J& O& k5 t/ x. q6 U一般情況，都會要求同一片wafer上的fuse方向跟type（metal fuse或poly fuse）要一樣，同一個chip的fuse最好擺在一起，可以節省trimming的時間，如果不能擺一起，擺靠近就ok了~另外rule上應該會要求同一片wafer上每幾um就要存在一個L mark。總而言之看rule就對了~

jian1712

非常感谢你的回到，另外我还有些问题:
1,metal fuse和poly fuse哪一个良率更高一些
( N7 R9 P) n; d- ]2,fuse上面是否需要开窗口，这个在rule里面没有提到
3,L mark在rule里面要求放在die的四个corner上面，而且和fuse用的同一个layer，那么如果fuse上面开窗口的话，L mark上面应该也要开窗口吧
4,L mark可否放在fuse的附近，而不放在die的corner附近

小包

1、metal fuse跟poly fuse的使用取決於rd，有些在線路的設計上就是只能用metal fuse，因為poly fuse相當於一個電阻，有些則是都ok。另外要注意的是，如果使用METAL FUSE，要注意METAL 厚度多少，若是有使用厚METAL，可能會有TRIM不斷的疑慮~
1 w( k! N$ m4 i9 i1 C) j% d9 _2、fuse上一定要開窗口，不然怎麼trim…rule上可能沒有很明白跟你說要加上什麼layer（一般是用passivation/CB），不過一定有說要多大的開窗，只是用的名詞不同，譬如說有的會定義side wall包FUSE多少，SIDE WALL就是指你的passivation或CB…如果都沒寫的話建議你去問一下廠商，沒寫就太跨張了~
7 L2 I: n( V9 g* V* f3、Lmark是給機器定位用的，所以也要開窗哦~~
4、LMARK可不可以放在FUSE旁，似乎沒有硬性規定，只要符合RULE就OK了，基本上我們都是放在CHIP有空的地方。

6 W  W8 O+ @' a8 T* d; o% R& B' O/ N[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-2 10:45 PM 編輯 ]

jian1712

回復 4# 的帖子
6 A9 g6 \: \7 K( T- i, ~7 }非常感谢你的回复，但我仍有一些问题请教：
6 I2 e9 a, f7 R. P  k" z1.metal fuse和poly fuse同样都是开了窗口，在Layout里面的处理是加passivation OR CB OR PAD这一层，那么即使开了窗口（就是把fuse上的passivation刻蚀掉），但是metal fuse可以使用top metal,所以metal fuse上面不会有残留的passivation的，但是poly fuse不一样了，poly上面的oxide和passivation都很厚，足有几个um,那么这样的话，poly fuse上面覆盖了一层oxide能不能trim,还是poly fuse必须裸露出来（通过过刻蚀实现），才能trim。在这里我主要关心的是，fuse上面如果有很薄的一层oxide,能不能trim,fuse上面有oxide+passivation能不能trim?
2.fuse和L-mark都需要开窗口，那么passivation应该overlap fuse(L-mark)多大,可否给我一个经验值，因为我拿到rule里面要球开窗口，但是没有具体的尺寸
3.L-mark在rule里面可以只放一个，而且位置随意
: p: _" p! S- o' o( s5 s4.为了节省trim的时间，多个fuse的摆放，有没有什么特殊的要求，rule上面写到可以摆放在一排

小包

回復 5# jian1712

1。理論上是不管你有什麼layer存在，只要上面有cb這層layer，就會被裸露在外面。而你說的如果poly上面有oxide是不是能trim，我個人的想法是沒有問題的，因為laser trim是打雷射的能量進去，它應該是可以打穿od以上的layer，只是在於能量的多寡。但這個只是我的個人想法啦，關於你的疑慮應該去請教你們的廠商，因為這些東西每家不一樣，有的做的到有的做不到。而poly上是否會殘留oxide則應該去問你們下的fab廠，目前為止我們下過的沒有發生過。
2。一般會比pad稍為小一點。
3。其實lmark放在fuse近一點是最好的，因為機器在對到mark的時後，移動到fuse的距離會比較短。
4。多個fuse的時後，||||||  ||||||  |||||||→最好；
6 ?3 c. R' n9 z|||||
|||||
8 J7 ?" U- P# R, N: L, T|||||→普通

+ X& Q5 z/ K+ ~. Z( ~|||||
' M9 e0 B  g* R) _2 |≡≡≡→最差。一堆直的，一堆橫的最差，因為chip要轉向，lmark要重新對

jian1712

回復 6# 小包
# x7 m0 j( F, q, G) y6 `0 Y谢谢

leoyangqi

又学到很多呀呵呵呵，很感谢

fpas445

剛出社會的新手
這些專業知識
" g0 D7 g- G, P對我來說
& j! N! `6 N( s) k% w) G) U是非常有幫助的
% ]2 K- R1 F3 D. J- |9 n* @  O: E感謝老前輩的提供知識

fpas445

剛出社會的新手
' n6 J8 L. g; d( V9 I7 N! R這些專業知識
$ ^. \: B# \$ H對我來說
# O7 h( a/ [* g$ j/ A  |" S是非常有幫助的
感謝老前輩的提供知識

antoniocc

雖然沒作過LASER TRIMMING
先學下來以備不時之需囉
謝謝分享

yuany

学习了一下
) @& \( i& q- L, ]$ _  w哈哈哈
, d0 g" e, h' Z6 ^6 n! H; P谢谢分享