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[問題求助] laser trimming layout应该注意哪些

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1#
發表於 2009-10-30 12:38:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近有个项目要用laser trimming,请问各位前辈,laser trimming的layout需要注意什么,先谢谢了。
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2#
發表於 2009-10-31 00:36:39 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

使用laser trimming,要看你是給哪家做的,跟他們要rule,照著lay就好了~另外如果fab廠也有提供相關的rule也要follow。/ N) l- P3 }. }% {# {. w( _
一般情況,都會要求同一片wafer上的fuse方向跟type(metal fuse或poly fuse)要一樣,同一個chip的fuse最好擺在一起,可以節省trimming的時間,如果不能擺一起,擺靠近就ok了~另外rule上應該會要求同一片wafer上每幾um就要存在一個L mark。總而言之看rule就對了~
3#
 樓主| 發表於 2009-11-2 13:39:56 | 只看該作者

回復 2# 的帖子

非常感谢你的回到,另外我还有些问题:
& G8 ^1 _7 ]7 P& B6 J1,metal fuse和poly fuse哪一个良率更高一些
) I4 W: ~5 _# L; h1 G1 \2,fuse上面是否需要开窗口,这个在rule里面没有提到' g7 |4 ?% U! d5 [; X
3,L mark在rule里面要求放在die的四个corner上面,而且和fuse用的同一个layer,那么如果fuse上面开窗口的话,L mark上面应该也要开窗口吧
; N& o: p+ @2 }% C# Y4,L mark可否放在fuse的附近,而不放在die的corner附近
4#
發表於 2009-11-2 22:44:24 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

1、metal fuse跟poly fuse的使用取決於rd,有些在線路的設計上就是只能用metal fuse,因為poly fuse相當於一個電阻,有些則是都ok。另外要注意的是,如果使用METAL FUSE,要注意METAL 厚度多少,若是有使用厚METAL,可能會有TRIM不斷的疑慮~
+ H6 X) B6 R  M& [& z1 h2、fuse上一定要開窗口,不然怎麼trim…rule上可能沒有很明白跟你說要加上什麼layer(一般是用passivation/CB),不過一定有說要多大的開窗,只是用的名詞不同,譬如說有的會定義side wall包FUSE多少,SIDE WALL就是指你的passivation或CB…如果都沒寫的話建議你去問一下廠商,沒寫就太跨張了~
7 S  U. t4 M8 k  R5 S" A3、Lmark是給機器定位用的,所以也要開窗哦~~. ~. q5 ?5 X" U9 u2 ]) W* w6 ?4 X+ f
4、LMARK可不可以放在FUSE旁,似乎沒有硬性規定,只要符合RULE就OK了,基本上我們都是放在CHIP有空的地方。- m! g$ p' G. i  T7 u+ {- C5 S

1 `2 P; C1 T0 N* Q[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-2 10:45 PM 編輯 ]
5#
 樓主| 發表於 2009-11-12 16:30:44 | 只看該作者
回復 4# 的帖子
* a4 o$ S, ^. V) O4 B, A非常感谢你的回复,但我仍有一些问题请教:4 X6 G7 @; q# m; b
1.metal fuse和poly fuse同样都是开了窗口,在Layout里面的处理是加passivation OR CB OR PAD这一层,那么即使开了窗口(就是把fuse上的passivation刻蚀掉),但是metal fuse可以使用top metal,所以metal fuse上面不会有残留的passivation的,但是poly fuse不一样了,poly上面的oxide和passivation都很厚,足有几个um,那么这样的话,poly fuse上面覆盖了一层oxide能不能trim,还是poly fuse必须裸露出来(通过过刻蚀实现),才能trim。在这里我主要关心的是,fuse上面如果有很薄的一层oxide,能不能trim,fuse上面有oxide+passivation能不能trim?; C1 @& B" Z$ D/ P' b
2.fuse和L-mark都需要开窗口,那么passivation应该overlap fuse(L-mark)多大,可否给我一个经验值,因为我拿到rule里面要球开窗口,但是没有具体的尺寸+ x& W8 b2 ]1 t
3.L-mark在rule里面可以只放一个,而且位置随意/ h4 r. a( J) Q0 Q; U; J8 K
4.为了节省trim的时间,多个fuse的摆放,有没有什么特殊的要求,rule上面写到可以摆放在一排
6#
發表於 2009-11-12 20:54:32 | 只看該作者
回復 5# jian1712 " ]% w- h* a8 G1 o, w5 O+ v" [% D. C

1 W$ q  `. w$ {( z# H0 o8 {  E1。理論上是不管你有什麼layer存在,只要上面有cb這層layer,就會被裸露在外面。而你說的如果poly上面有oxide是不是能trim,我個人的想法是沒有問題的,因為laser trim是打雷射的能量進去,它應該是可以打穿od以上的layer,只是在於能量的多寡。但這個只是我的個人想法啦,關於你的疑慮應該去請教你們的廠商,因為這些東西每家不一樣,有的做的到有的做不到。而poly上是否會殘留oxide則應該去問你們下的fab廠,目前為止我們下過的沒有發生過。
! J8 W- Z4 j7 v0 J3 M- a9 \" u2。一般會比pad稍為小一點。
. @2 t3 d" l- q. P! q3。其實lmark放在fuse近一點是最好的,因為機器在對到mark的時後,移動到fuse的距離會比較短。! w0 }% @) K) f0 j! ^
4。多個fuse的時後,||||||  ||||||  |||||||→最好;
  Y4 z9 {/ g) U( {7 G|||||
/ O$ F  y8 b6 {* \5 e|||||
) r- m3 {/ C/ @, ]  T: a* f|||||→普通2 D8 `. r& _8 g3 a1 w: s1 }

9 p4 l" `& {+ I( g& j2 |" G|||||
- l# U9 o, C% _4 j1 T+ R≡≡≡→最差。一堆直的,一堆橫的最差,因為chip要轉向,lmark要重新對
7#
 樓主| 發表於 2009-11-18 09:23:45 | 只看該作者
回復 6# 小包
' J! C3 v* m! m/ g( b! [0 q谢谢
8#
發表於 2009-11-21 21:26:18 | 只看該作者
又学到很多呀呵呵呵,很感谢
9#
發表於 2010-2-4 20:54:54 | 只看該作者
剛出社會的新手
0 e. B- q- O2 G5 H+ a這些專業知識
4 C8 E6 C8 z# `0 C1 M* B0 T  M對我來說# \1 D$ F! B( q+ G
是非常有幫助的+ t+ Y- X' p0 D; G! O/ ]! K! F
感謝老前輩的提供知識
10#
發表於 2010-2-4 20:58:51 | 只看該作者
剛出社會的新手/ a2 c" j( N, J8 T
這些專業知識
  \$ `+ f6 B" `/ g* F對我來說
$ x* u5 c$ U& O" D6 p7 B" N6 D是非常有幫助的7 g- ]* J* g: y! R6 H
感謝老前輩的提供知識
11#
發表於 2010-3-19 17:16:09 | 只看該作者
雖然沒作過LASER TRIMMING
: J, ~3 x+ Z$ t9 }' |! }& v& |先學下來以備不時之需囉
# K* l; M8 K2 i0 B5 E) e謝謝分享
12#
發表於 2010-3-24 16:30:27 | 只看該作者
学习了一下( j1 U/ `! n2 g# D+ T
哈哈哈
% Z3 n% @7 g/ v8 `* z' O谢谢分享
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