layout N-well 超過解決方法?

davidwww123

請問各位大大有什麼方法解決這問題嗎?
或者有什麼建議~謝謝^^

/ \! _0 C6 i4 u- e加了N-Well就出現以下的錯....
- X& Q' t/ W/ p7 u8 H2 X感覺是畫太大...
不知是否有別的方法解決??  除了重畫....
感恩~

" n5 y- P+ V; z$ \9 m2 p& p6 i, xDRC錯誤:
/ i, W) m+ ^: K+ c' L: dLATI.3A {@ N-well PICK-UP to PMOS max space < 20um
$ C% w7 \4 Q! y4 g  PASD NOT NPKUP}

m851055

哪些是NMOS哪些是PMOS請說明.............

davidwww123

全部都是PMOS
全部都是PMOS
( N: ?$ B) G" h1 ]6 C8 @" q全部都是PMOS

m851055

改用較上層的metal做跳線try it.................

motofatfat

這個問題是 body 離太遠  不是 NWELL 畫太大
應該是中間的MOS 離邊上的 BODY 超過 20 UM
看能不能在中間 跑線的下方加 N+ OD 當BODY
由兩旁加 CONT 和 M1 中間沒有 也 還好
4 S; |4 s" }0 t; g* p試試看ㄅ

小包

hi~他的意思是說你的pmos沒有達到latch up的rule，上面有說明你的pmos到bulk GR要小於20um，所以你每40um就要一個n+GR。

clarkhuang

原帖由 小包 於 2009-10-19 12:50 PM 發表
hi~他的意思是說你的pmos沒有達到latch up的rule，上面有說明你的pmos到bulk GR要小於20um，所以你每40um就要一個n+GR。

; B9 l4 y: w1 o0 i4 G+ D+ B

同意上面大大 說的喔

她的意思就是這樣  不過好像應該是每20um就要加一個  是40um嗎??   感謝

小包

因為他在report上寫pmos到nw pick up要20um，而不是pick up到pick up，所以以mos來說左右20um或是上下20um（其實只要一邊<20um就ok了，譬如說左邊19um就碰到GR），所以相加一共是40um，也就是說n+GR的OD到OD最大只能是40um，這樣包在裡面的mos到pick up的spacing一定會小於20um。就是一般所說的latch up rule。design rule上通常都會定義哦~
( V/ g' G! H$ G7 E1 C
[ 本帖最後由 小包 於 2009-10-19 11:27 PM 編輯 ]

davidwww123

原帖由 motofatfat 於 2009-10-19 10:01 AM 發表
# v3 J( a- H+ E1 ^- [% K2 D這個問題是 body 離太遠  不是 NWELL 畫太大
8 s7 N, _' u7 y8 T/ v+ Q應該是中間的MOS 離邊上的 BODY 超過 20 UM
3 m( Q2 W1 F2 l9 t  N. y看能不能在中間 跑線的下方加 N+ OD 當BODY
2 Q1 r7 d( W  Y5 ?" Q8 [4 c由兩旁加 CONT 和 M1 中間沒有 也 還好
  G. {' y3 ~5 h6 n' o4 J試試看ㄅ

感謝~motofatfat前輩的方法!!
6 ?* j  v/ S" H: @讓我解決問題了! 謝謝

YuanII

感謝大大的告解!!
* v+ e" x3 L1 b+ s9 |問題已解決~感恩