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樓主 |
發表於 2008-7-25 09:24:25
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本人找到的一个方法是在LVSCHK[OPTIONS]这个命令中,在options处填上【X】选项,这个选项可以上比较进入到晶体管级别。个选项解释如下:1 }# M( N( `) l
A:合并串联电容。例:两个为1c的电容串联合并为0.5c的电容。0 B, U5 B5 ?8 [+ c2 V; t0 G
B:合并组件如MOS, LDD, RES, CAP, DIODE,但不合并并联BJT晶体管。& ?2 p& f- u6 w" C3 b* a2 }$ C
C:组合晶体管形成一个整体器件,如INV, NOR 等,但不能应用 X 选项。只有被指定为 或N类型的晶体管,才会被识别。
( H% g5 R4 Z% e, W v2 |0 jE:匹配器件如:MOS, BJT, DIODE, RES 的尺寸。
) M) m0 B! D7 d# MF:过滤没有用到的MOS器件。使用FILTER_OPTION是要将此项打开。" J F# j- M( n. ^ l
G:对schematic 和 layout 应用相同的规则过滤。使用FILTER_OPTION是要将此项打开。
1 T! u% x6 D( S/ `& rK:保存器件并联状态,默认为合并。例并联电阻,并联MOS器件。(注意尺寸的计算。K选项将会让B选项失效)0 R4 S, {! ]7 h9 _# t: T: g: w
L:与C选项相似,但不组合AOI或OAI器件。(L选项将会让C选项失效)
) G' w* q8 X! |O:组合并联或串联MOS结构。默认值将不会组合SMID或PMID结构。该选项打开,LVS可以识别BiCMOS结构或门级层次。使用O选项将禁止打开X选项。
4 K" j8 _: D. cP:识别CAP极性,极性端反接将显示错误。
. X0 x) n: A; ]9 I5 P% U$ ~. d2 eR:合并串联电阻。' x0 k+ ?$ q1 M) L: V
S:合并分列式晶体管结构(假的并联结构)。; ~) {9 J2 X- ^9 j2 G g
T:在匹配时,将sub 端作为一个通常的连接端来匹配。
. v1 y6 T8 ]5 iU:在(.lvs)报告中去除多余信息。& L* v7 g H) \
X:比较将延伸到晶体管级。例:NAND2两端连接会有顺序。( a' q6 z% |) Q# N- A' b2 `) J
Z:过滤没有连接到P/G的器件。 |
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