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樓主 |
發表於 2008-7-25 09:24:25
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本人找到的一个方法是在LVSCHK[OPTIONS]这个命令中,在options处填上【X】选项,这个选项可以上比较进入到晶体管级别。个选项解释如下:2 F, L( u6 P( B2 X5 F2 o
A:合并串联电容。例:两个为1c的电容串联合并为0.5c的电容。
* Y3 m& r2 h* `5 c2 z* xB:合并组件如MOS, LDD, RES, CAP, DIODE,但不合并并联BJT晶体管。
3 \# _3 v7 z* PC:组合晶体管形成一个整体器件,如INV, NOR 等,但不能应用 X 选项。只有被指定为 或N类型的晶体管,才会被识别。
8 ^. F3 o- O: R) K0 SE:匹配器件如:MOS, BJT, DIODE, RES 的尺寸。
+ w$ F: W, F' u% i3 aF:过滤没有用到的MOS器件。使用FILTER_OPTION是要将此项打开。' H3 z! z7 i* w" y, X
G:对schematic 和 layout 应用相同的规则过滤。使用FILTER_OPTION是要将此项打开。+ I. x8 @; _. ~1 z* G$ @% K
K:保存器件并联状态,默认为合并。例并联电阻,并联MOS器件。(注意尺寸的计算。K选项将会让B选项失效)' z. C* b( I7 a6 c2 n/ H) U4 F
L:与C选项相似,但不组合AOI或OAI器件。(L选项将会让C选项失效)+ z4 a" t$ _3 ~* y3 H
O:组合并联或串联MOS结构。默认值将不会组合SMID或PMID结构。该选项打开,LVS可以识别BiCMOS结构或门级层次。使用O选项将禁止打开X选项。
& n. v; A, M& J, W" F. PP:识别CAP极性,极性端反接将显示错误。
# ]" Y' V9 y J, i VR:合并串联电阻。/ A3 F2 ]9 q" w) `8 l& T% e6 b
S:合并分列式晶体管结构(假的并联结构)。' ~2 ]$ s/ B1 l+ i' u/ ^! [, P
T:在匹配时,将sub 端作为一个通常的连接端来匹配。
" m/ V6 r: q/ u" w4 S. q9 p- NU:在(.lvs)报告中去除多余信息。3 d3 a, x( y' A/ {
X:比较将延伸到晶体管级。例:NAND2两端连接会有顺序。
: Z7 ^% _/ J/ k: l' `) lZ:过滤没有连接到P/G的器件。 |
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