8/5~7 美國加州快閃記憶體高峰會

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東芝將在快閃記憶體高峰會上展示最新NAND和儲存產品

, u1 B, |5 p# X- B(20140806 12:47:45)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporatioo) (TOKYO: 6502)今天宣布，該公司將在快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND快閃記憶體和儲存產品。快閃記憶體高峰會是全球最大的快閃記憶體討論會，將於8月5至7日在美國加州聖塔克拉拉市的聖塔克拉拉會議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。

6 ?& B; Q/ z# ^8 [( q快閃記憶體高峰會的展覽環節將在會議的最後兩天8月6日和7日舉行，東芝將在504號攤位布展。

/ u8 v" m; }! F& w* I3 E主要展品

- J3 D) \6 ^- k" _/ S7 A1. 企業級固態硬碟(SSD)：
$ h% O" ?7 g% E! p1 o
, d- o- X' T; T: E- [3 Y+ Q0 y企業級讀取密集型SSD PX03SN/HK3R系列
2 O2 X* w* g' h/ Z5 c) z# b! i高讀取率IOPS伺服器PX03SN系列展示

0 x# E- i, X2 ~: i2. 用戶端SSD:
3 O* O( Q% C& ?0 N2 b. ]
高階用戶端SSD HG6系列
TLC[1] NAND嵌入式用戶端SSD SG4系列（參考展覽品）

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3. 行動記憶體：
# U9 O( s2 L0 K! q' |
嵌入式儲存記憶體解決方案：UFS[2]、e-MMCTM
+ g3 g" C! w* w9 }: |記憶體卡：SD記憶體卡、USB快閃記憶體
' l9 B9 V, c) k4 _無線區域網路(LAN) SDHC記憶體卡：FlashAirTM

4. 企業級&工業級記憶體：

SLC[3] NAND、BENANDTM [4]、15奈米製程NAND晶片
2 u! f  P0 i0 m
) ?5 r" Y5 n# Z注釋
1 V9 f) {* M4 l+ \2 N% G
[1] TLC：三層儲存單元（每單元3位元的NAND資料快閃記憶體類型）
[2] UFS：通用快閃記憶體
[3] SLC：單層單元
3 j3 e3 E7 H- K* l7 f[4] BENANDTM：內建型ECC NAND