8/5~7 美國加州快閃記憶體高峰會

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東芝將在快閃記憶體高峰會上展示最新NAND和儲存產品
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/ \# ~8 J# }3 L+ J. x8 J  r5 h2 d(20140806 12:47:45)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporatioo) (TOKYO: 6502)今天宣布，該公司將在快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND快閃記憶體和儲存產品。快閃記憶體高峰會是全球最大的快閃記憶體討論會，將於8月5至7日在美國加州聖塔克拉拉市的聖塔克拉拉會議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。

/ J6 w) @: C' D快閃記憶體高峰會的展覽環節將在會議的最後兩天8月6日和7日舉行，東芝將在504號攤位布展。

) A; V6 J, d/ E* ^! n+ I主要展品

6 q: x5 w( K. l/ b0 v1 V1. 企業級固態硬碟(SSD)：

企業級讀取密集型SSD PX03SN/HK3R系列
高讀取率IOPS伺服器PX03SN系列展示

+ z! k2 \8 Y/ p2 `2. 用戶端SSD:
' y+ Q7 }3 e0 S7 N
高階用戶端SSD HG6系列
TLC[1] NAND嵌入式用戶端SSD SG4系列（參考展覽品）

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3. 行動記憶體：
3 ~# D& }$ p, P" p; U
8 s8 ^0 R) T: V  P0 l嵌入式儲存記憶體解決方案：UFS[2]、e-MMCTM
" W" k! o, _" r4 E1 h' Z1 @& Z; I8 A記憶體卡：SD記憶體卡、USB快閃記憶體
無線區域網路(LAN) SDHC記憶體卡：FlashAirTM

& b* S& X+ ]# d8 b4. 企業級&工業級記憶體：

SLC[3] NAND、BENANDTM [4]、15奈米製程NAND晶片
, f8 y  ?- b3 l. C
* R1 |5 g" ~% d  L# V  B2 P! G注釋
% q0 v) V" X2 p& K# H
[1] TLC：三層儲存單元（每單元3位元的NAND資料快閃記憶體類型）
[2] UFS：通用快閃記憶體
. j4 M, b+ ~: t[3] SLC：單層單元
[4] BENANDTM：內建型ECC NAND